网曝baby母亲年轻美人照 粉丝：拷贝不走样的母女
- 近日，中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为，该项目技术难度大，创新性显著，总体技术达到国际先进水平。该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台，国内率先研制出750V/150A和6500V/25A的大电流碳化硅MOSFET器件，实现新能源汽车、光伏、智能电网等领域碳化硅MOSFET批量供货，有力保障碳化硅功率器件供
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中国电科 55所 碳化硅 MOSFET
- 近日，中国电科网络通信研究院研发的超高频射频识别芯片陆续交付用户。该款芯片是 国内首款完全符合特定标准的射频识别芯片 ，已成功应用于标识牌系统中，为个人信息标识、相关信息存储提供安全保障。中国电科表示， 该芯片在基带、射频、存储器等方面取得大量原始技术创新成果，在灵敏度、可靠性等指标上相较于同类型产品实现较大提升。前不久，中国电科49所超低温铂电阻研制成功，实现最低测量温度零下196℃。铂电阻是温度传感器的关键敏感元件，具有精度高、体积小、可靠性高等优点，通常的测量范围是零下
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中国电科 超高频识别芯片 射频芯片
- IT之家?12 月 7 日消息，据中国电子科技集团有限公司（中国电科）消息，近日，由中国电科产业基础研究院主导制定的两项半导体国际标准正式发布，这也是我国在微波集成电路领域首次提出并主导制定的国际标准。据介绍，两项标准瞄准 5G 通信、电子测量等领域广泛应用的微波集成电路，规定了衰减器、限幅器的指标体系和测试方法，为规范产品性能测试和质量评价提供标准支撑，对现有微波器件标准体系进行有效补充和完善，体现了我国在该领域的技术水平和实力。近年来，中国电科产业基础研究院主导制定发布四项国际标准，有力提升
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中国电科 5G 电子测量
- 据“中国电科”报道，国内高能离子注入机核心技术难关得到突破！由中国电科所属北京烁科中科信设备研发团队自主研制的国内首台高能离子注入机已顺利进驻国内先进集成电路大生产线。作为集成电路芯片制造的关键设备，离子注入机设备的研制难度极大、研制基础薄弱，其应用也非常广泛，不仅可以用做大规模集成电路和器件和半导体材料的离子注入，还能用于金属材料表面改性和制膜等方面。其中，低能大束流离子注入机被应用于制程逻辑、DRAM、3D存储器和CIS芯片制造中，高能离子注入机则较多应用在功率器件、IGBT、5G射频、CIS、逻辑芯
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高能离子注入机 中国电科
- 近日，中国电科55所国博公司上报的《2012-2014年集成电路企业研发能力实施方案》，凭借过硬的产业技术基础、良好的发展前景、具体的可行方案，顺利通过评审，获得国家发改委和财政部项目支持。
在“十二五”期间，中国电科国博公司计划在射频集成电路和模块研发生产领域，通过稳步发展射频基站产品、大力推广终端产品、扩展新兴产业方向，保持快速持续健康的发展。预计在2015年，国博电子将在射频芯片及模块产业领域继续保持国内领先的地位，并在技术上紧跟国际知名公司、达到国际先进水平，在规
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中国电科 射频集成电路
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