“翰墨抒怀 凝心聚力”河北省新闻界书画展获奖者名单
- NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5
A/-9A。 它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。
NCP51752提供短而匹配的传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地关闭，NCP51752具有嵌入式负偏置轨机制在GND2和VEE引脚之间。 本用户指南支持NCP51752的评估板。 它应该与NCP51752数据表以及onsemi的应用说明和技术支持团队一起使用。 本文档描述了孤立单体的拟
- 关键字：
onsemi NCP51752 隔离式 SiC MOSFET 闸极驱动器 评估板
- Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器（gate driver） ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
- 关键字：
Diodes 闸极驱动器 ZXGD3006E6
- Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6 拥有一个发射极跟随器配置，可防止闩锁效应(latch-up)及贯通问题(shoot-through)，实现少于 10ns 的传输延迟时间。
- 关键字：
Diodes 闸极驱动器 XGD3006E6
闸极驱动器介绍
您好，目前还没有人创建词条闸极驱动器!
欢迎您创建该词条，阐述对闸极驱动器的理解，并与今后在此搜索闸极驱动器的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
