高亚麟：刘星小雪小雨没发来贺电太不“孝顺”
1. 定义DDR：Double Date Rate 双倍速率同步动态随机存储器。DDR、DDR2、DDR3常用规格：2. 阻抗控制要求单端走线控制 50 欧姆，差分走线控制 100 欧姆3. DDR 布局要求通常，根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。A、DDR*1 片，一般采用点对点的布局方式，靠近主控，相对飞线 Bank 对称。间距可以按照是实际要求进行调整，推荐间距为 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相对主控飞线 Bank 对称，常采用 T 型拓扑结构， 推荐间距如下：等长要求
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DDR PCB设计 存储
树莓派工程师调整了 Pi 的 SDRAM 时序和其他内存设置，在默认的 2.4 GHz 时钟下实现了 10-20%的速度提升。我当然要测试超频，这让我在 3.2 GHz 时获得了 32% 的速度提升！这些更改可能很快就会在所有 Pi 5 和 Pi 4 用户的固件更新中推出。树莓派的工程师们正在进一步调整内存时序，他们与美光公司进行了沟通，并实施了一系列小的调整，这些调整——连同 NUMA 模拟——真正为多核工作负载带来了性能提升。甚至对单核也有小小的改进！SDRAM 刷新间隔目前使用默认数据表设置。实际上
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树莓派 SDRAM 时序 内存
1、电源DDR的分类A、主电源VDD和VDDQ主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给内核供电。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有专门的VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压、电流是否满足要求。电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平面
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电源设计 DDR
了解双数据速率（DDR）存储器的关键概念和围绕这一数字通信技术的应用，其中两个数据字在一个时钟周期内传输。串行数据传输比并行数据传输具有重要优势，并且在许多系统中，这些优势足够显著，足以证明添加串行化和反串行化并行数据的电路是合理的，从而可以将其作为串行数据传输。然而，计算机存储器是并行数据传输仍然普遍存在的一个应用领域。由于它们可以同时读取和写入许多数字信号，并行接口速度很快，设计师们一直在寻找使其更快的方法。一种用于实现数据传输速率的大幅提高的古老但仍然相关的技术被称为双泵浦，而这一特性正是将存储器系
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双倍数据速率，DDR
近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案与LPCAMM2模组；可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组，并携手MemVerg
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DDR 美光科技 HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR
SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不
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存储 DDR HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不同的
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DDR GDDR6 HBM
1. 电源 DDR的电源可以分为三类：a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平
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DDR 内存
在2024年即将到来之际，多家机构给出预测，认定生成式AI将成为2024年的增长重点之一。回顾2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI热潮，不仅仅是下游市场的AI应用，这股大火一直烧到了上游芯片领域，根据权威机构预测，2023年和2024年，AI服务器将有38%左右的增长空间。随着GPU等AI芯片走向高峰的同时，也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM（高带宽内存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我们先来了解一下什么是HBM。HBM全称为High Bandwich Me
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HBM DDR AI GPU 美光 海力士
简单解释ROMROM：只读存储器，内容写入后就不能更改了，制造成本比较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM：可编程程序只读存储器，但是只可以编写一次。EPROM：可抹除可编程只读存储器，可重复使用。EEPROM：电子式可抹除可编程只读存储器，类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。RAMRAM：随机存取存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器
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ROM RAM FLASH DDR EMMC
一站式定制芯片及IP供应商——灿芯半导体日前宣布推出用于高速DDR物理层中的Zero-Latency （零延迟）和True-Adaptive（真自适应）两项技术。这两项技术已经开始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理层IP上进行部署，将为客户带来更高效、更稳定的全新体验。 Zero-Latency （零延迟） 技术在读数据通路上，采用了两种可选的、独特的采样方式进行数据转换，而不像其他DDR物理层供货商采用FIFO进行跨时钟域转换，此技术将延迟降低
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灿芯 DDR IP
DDR4内存已经诞生了有10年之久，从一开始的2133MHz频率到后期逐渐站上2400MHz、2666MHz，一直到工艺与电路架构升级后，现在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz。可以说这十年以来，DDR4内存的频率也是有了快翻倍的提升。 而日前，有超频爱好者将DDR4内存的频率超频至7200MHz，打破了世界纪录。该记录由微星MEG Z590 Unify-X主板创造，超频内存上使用了两条士顿的HyperX Predator 8GB内存，组成16GB双通道。为了能让内存实现如此高频
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DDR
重点：高质量DesignWare DDR PHY IP核为NVIDIA提供无与伦比的性能、延迟和电源效率DDR PHY支持DDR5/4的每个通道多个DIMM，满足NVIDIA的网络数据速率和内存容量要求基于固件的现场可升级训练可提高通道的稳定性和可靠性，并且有助于算法更新，从而降低采用新内存协议的风险新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，NVIDIA的网络业务部门Mellanox将采用经验证的DesignWare? DDR5/4 PHY IP核，以满足其针对高性能计算和人工智能应用的Infin
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云计算 NVIDIA 新思科技 DesignWare DDR IP核
国际领先的定制化芯片（ASIC）设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）近日对外宣布为一家著名的NVDIMM供应商提供完整的NVDIMM控制器芯片解决方案。非易失性双列直插式内存模块（NVDIMM）是计算机的一种随机存取存储器,即使在遇到供电不稳、系统崩溃或正常关机等断电情况时仍保留其内容。NVDIMM可快速恢复现场，提高应用程序性能，数据安全性和系统崩溃修复时间，加强了固态驱动器（SSD）的耐用性和可靠性。当前，大多数NVDIMM控制器采用F
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OEM DDR SSD ASIC
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