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百度小关虽然觉得很歉意，但他认为阿英伤得不重，医药费总共也就花了400余元，即便加上误工费等，也不至于要花那么多钱。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

如图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

41# EEPW网友说：2025-08-04 22:02

一般的igbt的开通和关断时间是多长呢

40# 广州华工科技说：2025-08-04 16:38

富士IGBT模块中国总代理,广州华工科技开发有限公司，? 欢迎咨询020-85511281 李生

39# EEPW网友说：2025-08-04 14:15

全

38# EEPW网友说：2025-08-04 14:12

37# EEPW网友说：2025-08-04 14:12

是大幅度发

36# EEPW网友说：2025-08-04 14:08

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35# EEPW网友说：2025-08-04 14:08

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34# EEPW网友说：2025-08-04 14:08

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33# EEPW网友说：2025-08-04 14:50

大联大品佳-英飞凌一级代理刘志平 QQ：185609588/Tel:18521067611

32# EEPW网友说：2025-08-04 17:43

请问汽车级IGBT国际知名生产企业都有哪些？有知道的麻烦给说一下，谢谢！

31# 云端说：2025-08-04 06:57

IGBT 管的好坏可以用万用表来测量吗？

30# soothmusic 说：2025-08-04 06:13

回答29# wyf86：
这个问题很难回答，有的30年以上

29# wyf86 说：2025-08-04 22:20

IGBT的寿命一般多长？

28# EEPW521 说：2025-08-04 07:06

回答27# eepwlover：
是的，设计的时候多注意。

27# eepwlover 说：2025-08-04 22:23

变频器工作时，IGBT的开关动作会产生高频干扰信号?

26# EEPW521 说：2025-08-04 22:10

回答25# eepwlover：
新能源汽车

25# eepwlover 说：2025-08-04 21:37

大功率IGBT的主要驱动力是什么？

24# 活词典说：2025-08-04 21:39

当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

23# EEPW网友说：2025-08-04 16:08

基于icepak的igbt温度场仿真应该采用哪种igbt？

22# wyf86 说：2025-08-04 22:43

回答21# soothmusic：
通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通

21# soothmusic 说：2025-08-04 22:36

IGBT的开关作用是什么

20# EEPW网友说：2025-08-04 00:15

很希望有IGBT的工艺流程

19# EEPW网友说：2025-08-04 14:42

跪求适合传热分析的简单的IGBT的模型？

18# wyf86 说：2025-08-04 20:10

IGBT在关闭期间仍承受着高电压，且带有残余电流，滋生不小的开关损耗。

17# EEPW网友说：2025-08-04 13:39

基于有缘栅极控制的IGBT，其实IGBT就是栅极控制吧？没什么特别含义吧？

16# wyf86 说：2025-08-04 21:48

回答15# soothmusic：
输出漏极电流Id与栅源电压Ugs 的关系曲线

15# EEPW网友说：2025-08-04 21:42

什么是IGBT的转移特性？

14# 云端说：2025-08-04 21:42

回答13# wyf86：
电流过大是一个原因

13# wyf86 说：2025-08-04 22:12

IGBT失效的原因是什么？

12# wyf86 说：2025-08-04 21:16

回答11# soothmusic：
可使用MOSFET驱动技术进行触发

11# soothmusic 说：2025-08-04 21:54

IGBT栅极/发射极阻抗大，应该怎么触发？

10# 活词典说：2025-08-04 22:31

回答9# 云端：
也就是IGBT的开关特性，等效电路为达林顿结构。

9# 云端说：2025-08-04 21:13

IGBT漏源电压与漏极电流的关系是怎样的？

8# soothmusic 说：2025-08-04 21:54

回答7# eepwlover：
简单来说，就是栅源电压Ugs与输出漏极电流Id 的关系曲线。

7# eepwlover 说：2025-08-04 22:34

IGBT的转移特性是什么？

6# 活词典说：2025-08-04 22:21

回答5# 云端：
Ugs 越高， Id 越大。

5# 云端说：2025-08-04 23:36

选型IGBT，可以参考伏安特性曲线，Ugs与Id的关系是什么样的？

4# soothmusic 说：2025-08-04 22:06

回答3# eepwlover：
它们都有高输入阻抗特性。

3# eepwlover 说：2025-08-04 21:59

IGBT的输入阻抗特性，与MOSFET一样吗？

2# liyidong 说：2025-08-04 13:01

IGBT的饱和压降低，适合应用在高压大电流的场合，但是其工作频率比MOSFET低。

1# 云端说：2025-08-04 21:35

大功率开关电源中，使用IGBT作为开关管，比MOSFET好在哪里？

EEPW521回答:2025-08-04

IGBT的饱和压低，且驱动功率小。MOSFET载流密度小些，导通压降较大，开关速度要快，驱动功率却很小。

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