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- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封装的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。这些器件采用合并PIN肖特基（MPS）设计，最小爬电距离为3.2 mm，融合低电容电荷与温度不变的开关特性等优点，可提高高速硬开关电源设计的效率。对于高压应用，Vishay日
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Vishay SiC肖特基二极管
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。这些Vishay半导体器件旨在为高频应用提供高速和高效率，在同类二极管中，它们在电容电荷（Qc）和正向压降之间实现了出色的平衡。日前发布的二极管包括40 A至240 A的并联双二极管组件，以及50 A至90 A单相桥器件。这些二极管基于先进的薄晶圆技术制造，正向压降低至1.36 V，显著减小导通损耗，提高能效。此外，与硅基二极管相
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- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC?2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB
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Vishay SiC肖特基二极管 开关电源
- 器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025-08-03 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计
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