嗜酸性粒细胞偏低是什么原因
- 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦
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IGBT MOSFET
- 功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电源电流需求会高达60A或更多，电压介于0.9V和1.75V之间。但是，尽管电流需求在稳步增
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MOSFET 开关电源
- 不断增长的消费需求、持续提高的环保意识/环境法规约束，以及越来越丰富的可选方案，都在推动着人们选用电动汽车 (EV)，令电动汽车日益普及。高盛近期的一项研究显示，到 2023 年，电动汽车销量将占全球汽车销量的 10%；到 2030 年，预计将增长至 30%；到 2035 年，电动汽车销量将有可能占全球汽车销量的一半。然而，“里程焦虑”，也就是担心充一次电后行驶里程不够长，则是影响电动汽车普及的主要障碍之一。克服这一问题的关键是在不显著增加成本的情况下延长车辆行驶里程。本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化
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电动汽车 逆变器 SiC MOSFET
- 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压
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SiC MOSFET IGBT WBG
- 假如有人将24V电源连接到您的12V电路上，将发生什么？倘若电源线和接地线因疏忽而反接，电路还能安然无恙吗？您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中?即使此类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。为了隔离负电源电压，设计人员惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率二极管或 P 沟道 MOSFET。然而——◇ 二极管既占用宝贵的板级空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率。◇ P 沟道 MOSFET 的功耗虽然低于串联二极管，但 MOSFET 以及所需的
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MOSFET 二极管 LTC4365
- Littelfuse拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括电压阻断能力高达4700V的器件，能够支持客户开发需求严苛的应用。Littelfuse拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括电压阻断能力高达4700V的器件，能够支持客户开发需求严苛的应用。Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si) MOSF
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Littelfuse MOSFET
- 热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。简介热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的
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MOSFET 导通电阻
- 1.方案介绍:NCD57000 是一种具有内部电流隔离的高电流单通道驱动器，专为高功率应用的高系统效率和高可靠性而设计。其特性包括互补的输入端（IN+ 和 IN-）、漏极开路或故障侦测功能、有源米勒箝位功能、也配备了精确的 UVLO和DESAT保护能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 时的软关断以及独立的高低驱动器输出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系统设计及开发。 NCD57000 可在输入侧提供 5
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NCD57000 驱动器 IGBT MOSFET onsemi 马达控制
- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能，为新一代的功率器件保驾护航。EiceDRIVER?增强型1ED34X1主要特色：●? 单通道隔离型栅极驱动芯片●? 输出电流典型值+3/6/9A●? 功能绝缘电压高达2300V●? 带米勒钳位、Desat短路保护、
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MOSFET EiceDRIVER MOSFET
- 我们设计了一个使用 MOSFET 的功率放大电路，可产生 100W 的输出功率，驱动约 8 欧姆的负载。 所设计的功率放大电路具有效率高、交叉失真和总谐波失真的优点。工作原理：该电路采用多级功率放大原理，包括前置放大器、驱动器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驱动级是带有电流镜负载的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 类工作方式。与 BJT 相比，MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成，用于产生无噪声放大信号
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功率放大器 MOSFET
- 合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数，还可以添加更多参数。合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数，还可以添加更多参数。图 1：必须与 SiC MOSF
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MOSFET
- “能够优先掌握SiC这种领先技术的国家，将能够改变游戏规则，拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金（NSF）获得了1787万美元的资助，用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育，以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的，此外其部署的SiC晶圆生产线，能够让美国大学，企业以及政府研究人员进行长期
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SiC MOSFET 功率损耗 碳中和
- 【2025-08-04，德国慕尼黑讯】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS? S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（PLC）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器
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英飞凌 高压超结 MOSFET
- 在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性
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安森美 MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM AC适配器 GaN HEMT Si MOSFET
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