西安交通大学：“五阶段递进式”促进教师成长和发展
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封装的两个全新产品系列，扩展其?CoolSiC? MOSFET分立式半导体器件?650 V产品组合。这两个产品系列基于Coo
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英飞凌 CoolSiC MOSFET
服务器电源主要用在数据中心场景中，主要应用于服务器、存储器等设备。它和PC电源一样，都是一种开关电源。服务器电源按照标准可以分为ATX电源和SSI电源两种。ATX标准是Intel在1997年推出的一个规范，使用较为普遍，输出功率一般在125瓦～350瓦之间主要用于台式机、工作站和低端服务器。SSI（Server System Infrastructure）规范是Intel联合一些主要的IA架构服务器生产商推出的新型服务器电源规范，SSI规范的推出是为了规范服务器电源技术，降低开发成本，延长服务器的使用寿命
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MOSFET 服务器电源
PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?车规级?MOSFET，此系列通过先进的沟槽技术设计达到优异性能和效率。此系列?MOSFET?专为汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低?RDS(ON)?和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。新系列?MOSFET?提供多种封装，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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PANJIT MOSFET
1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于紧靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管分为结型和绝缘栅两种，因为绝缘栅型晶体管（MOSFET，下面简称MOS管）的栅源间电阻比结型大得多且比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，因而目前普遍采用绝缘栅型晶体管。MOS管分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，只要栅极-源极电压uGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，只要栅极-源极
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MOSFET 参数 米勒效应
功率MOSFET的开通和关断过程原理(1)开通和关断过程实验电路(2)MOSFET 的电压和电流波形：(3)开关过程原理：开通过程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通;-- [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs充电而上升，在t1时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电;-- [t1-t2]区间，MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电
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功率 MOSFET 工作原理
第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案相比传统的硅MOSFET，SiC
MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC
MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC
MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的驱动方案展开了解，其中包括驱动过电流、过电压保护以及如何为SiC MOSFET选择合
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第三代半导体 SiC MOSFET 高效驱动 电力电子
Nexperia近日宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2
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Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器
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SiC MOSFET IGBT 低侧栅极驱动器
了解欠压锁定（UVLO）如何保护半导体器件和电子系统免受潜在危险操作的影响。当提到电源或电压驱动要求时，我们经常使用简化，如“这是一个3.3 V的微控制器”或“这个FET的阈值电压为4 V”。这些描述没有考虑到电子设备在一定电压范围内工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之间的任何电源电压下正常工作，而具有4 V阈值电压的MOSFET可能在3.5 V至5 V之间获得足够的导电性。但即使是这些基于范围的规范也可能具有误导性。当VDD轨降至2.95V时，接受3.0至3.6 V电源电压的数字
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欠电压闭锁，UVLO MOSFET，IC
本文将通过解释MOSFET功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。MOSFET的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管的栅极到源极电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。跨沟道的电压和流过沟道的电流都是显著的，导致晶体管中的高功耗。在开关模式中，栅极到源极电压足够低以防止电流流动，或者足够高以使FET处于“完全增强”状态，在该状态下沟道电阻大大降低。在这种状态下，晶体管就像一个闭合的开关：即使大电流流过通道，功耗也会很低或中等。随着开关模式操作接近理想情况，功耗变得可
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MOSFET 开关损耗
处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。另一种方法是使用图 1 所示的 MOSFET 电路之一。图 1：传统的负载侧反向保护对于负载侧电路而言，这种方法比使用二极管更好，因为电源
(电池) 电压增强了 MOSFET，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导。该电路的 NMOS 版本比 PM
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MOSFET 电源电压反转
在功率转换市场中，尤其对于通信/服务器电源应用，不断提高功率密度和追求更高效率已经成为最具挑战性的议题。对于功率密度的提高，最普遍方法就是提高开关频率，以便降低无源器件的尺寸。零电压开关(ZVS)拓扑因具有极低的开关损耗、较低的器件应力而允许采用高开关频率以及较小的外形，能够以正弦方式对能量进行处理，开关器件可实现软开闭，因此可以大大地降低开关损耗和噪声。在这些拓扑中，移相ZVS全桥拓扑在中、高功率应用中得到了广泛采用，因为借助功率MOSFET的等效输出电容和变压器的漏感可以使所有的开关工作在ZVS状态下
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LLC MOSFET ZVS 变换器
一、MOS管驱动简述MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之
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MOSFET
为了在空间受限的应用中实现高效、实时的嵌入式电机控制系统，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?数字信号控制器（DSC）的新型集成电机驱动器系列。该系列器件在一个封装中集成了dsPIC33
数字信号控制器 （DSC）、一个三相MOSFET栅极驱动器和可选LIN 或 CAN FD
收发器。这种集成的一个显著优势是减少电机控制系统设计的元件数量，缩小印刷电路板（PCB）尺寸，并降低复杂性。该系列器件的支持资源包括开发板、参考设计、应用笔记和
Micr
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dsPIC 数字信号控制器 MOSFET 电机控制
在之前一篇题为《功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡》的博文中，我们探讨了碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。图1.硅与碳化硅的对比众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘
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Qorvo SiC MOSFET
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