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　　作为NOR闪存最重要的领导厂商之一，Spansion公司最近发布了其并行NOR闪存的最新产品，业界首款45nm单芯片8Gb NOR闪存。该系列产品是Spansion GL并行NOR产品线的最新成员，也是65nm Spansion GL-S产品系列的补充。Spansion公司NOR产品营销副总裁Jackson Huang介绍说，Spansion GL-T 45nm 8Gb NOR闪存的读取速度可达95MB/s，编程速度为1.8MB/s，是目前市面上读取速度最快的产品同时也是目前市面上最高容量的NOR Flash，该产品主要针对消费、汽车、游戏、电信和工业等应用。该系列产品正式量产时将由SMIC武汉工厂代工，Jackon Huang表示对产品的良率很满意，在市场上非常有竞争力，并没有透露具体的产品良率。

Spansion公司NOR产品营销副总裁Jackson Huang

　　Spansion一如既往采用了Spansion的MirroBit技术来制造最新的GL-T系列NOR闪存。目前MirrorBit技术主要是使用Spansion的并行NOR闪存和SPI产品上，是Spansion独有的技术，没有直接授权给其它公司使用。Jackson Huang介绍说，和传统的浮栅技术相比，MirrorBit主要优点是：存储单元的结构更简单，纵向上比浮栅更小；能够降低耦合与干扰，从而提高性能和可靠性；易于实现生产。MirroBit实质上是一种电荷陷阱技术，最早是在Spansion从AMD独立出来之前，由AMD在2002年发布。有资料称，最初开发该技术是为了降低NOR闪存的制造成本，提高NOR闪存的存储密度，并与Intel的MLC（Multi-Level Cell）NOR技术在成本上相抗衡。MirrorBit和传统浮栅最明显的区别在于，MirrorBit技术使用了一个电荷陷阱层来替代传统的浮栅，电荷陷阱层是绝缘体，而浮栅是导体。MirrorBit同时也利用了用于存储电荷的氮化物不导电的特性，让两个bit可以共享同一个存储单元。

MirrorBit技术示意图


浮栅技术和MirrorBit对比

　　虽然Spansion最近在NOR闪存方面市场表现不错，但是，放眼整个NOR闪存的总体市场，似乎有增长放缓、甚至是逐渐萎缩下滑的趋势，特别是受到NAND闪存的冲击，前景似乎面临了重大挑战。有资料表明，2010年使用NOR闪存的手机占14%，而现在已经降至7%以下，被NAND取代了大量份额。对于NOR闪存市场的走势，Jackon Huang认为：“我们认为NOR闪存市场还是相当稳固的。NOR里面分成两大类，一种是并行的，还有一种是SPI的NOR闪存。现在低阶的并行NOR闪存逐渐被SPI所取代，但中高阶的市场还是非常稳固的，这也正是我们公司产品所针对的目标市场。”

　　笔者认为，NOR闪存的编程、擦写速度是其最致命的短板。虽然和NAND闪存相比，NOR闪存的可靠性更高，但在分量极重的消费电子产品市场，面对NAND闪存的价格优势以及不可同日而语的写入速度，NOR闪存被NAND闪存所取代，并不是不可能的事。现在NOR闪存应该做的，或许是守住那些对读取速度和可靠性要求高，但不强调写入速度的应用领域，例如汽车、工业、医疗，或是消费电子的系统固件等。