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　　Western Digital 旗下 HGST 1 日宣布，已通过将融合 self-assembling molecules ( 分子自组装 ) 和 nanoimprinting ( 纳米印刷 ) 技术，成功创造出大面积高密度存储介质，其 magnetic islands 磁岛宽度只有 10nm ，是目前硬盘技术的两倍，可望于未来数年内大幅提高机械硬盘的存储密度，让单碟容量可望提升。

　　据 HGST 表示，新技术能够让 magnetic islands 磁岛宽度只相当于大约 50 个原子宽，或者人类头发丝的十万分之一。其中，自组装分子使用的杂化聚合物，为互相排斥的段组成的嵌段共聚物，表面上作为薄膜涂层，聚合物链段的大 小决定的行间距，结合转换为模板的纳米压印，将纳米尺度模式到一个芯片或磁盘基板的模式，令 magnetic islands 磁岛宽度只有 10nm 。

　　HGST 还提供了路线图，指出如何经济有效地提远远升磁岛密度，无需使用任何传统的光刻技术便可令硬盘尺寸更小。目前 HGST 实验室已测试出其出色的读写速度和数据保存能力，扩展到整个硬盘之后，将可望达到超过一万亿个磁岛，进而降低晶格介质 (bit-patterned media) 的成本，并可望于未来数年内大幅度提高机械硬盘的存储密度。

　　此外，据 HGST Research 副总裁 Currie Munce表示，新兴的自组装分子和纳米压印技术将产生巨大的影响，使纳米制造成为一个成本效益的方式，并增加在磁性硬盘驱动器上的数据密度。