一块四方体，再普通不过的一个东西，若没有外界条件干扰，从产生到消亡可能需要好长好长时间，若给它加上外界条件干扰，它瞬间就可能发生变化，这取决于它自身的性质。

比如它是一个绝缘体，就是在左右两端加入电压，也不会有电流通过。若它是一个良导体，左右两端加入电压后，在其内部就会电流通过，若再把它放入上下垂直的均匀磁场当中，它就会受到力的作用，这个力是安培力，其大小等于BIL，即磁场强度、电流强度与长度的乘积。若它是一个半导体，在左右两端加入电压，并把他放入上下垂直的均匀磁场当中，它的前后内部就会产生一个内电场，原因就是载流子在磁场作用下受到洛伦兹力的影响，其外在表现就是在前后两端就会产生一个电势差(电压)。这就是霍尔效应。

洛伦兹力，是指运动电荷在磁场中所受到的力，即磁场对运动电荷的作用力，公式为：F=QvB。由此可见，洛伦兹力是导体内部的微观表现，而安培力是洛伦兹力的外在表现，它是所有带电粒子所受到洛伦兹力的合力。

霍尔效应是霍尔这伙计24岁时跟他的导师在一次试验时发现的，一辈子有此一发现，足以让他功成名就，可以看看现在的汽车，有多少传感器都与此发现有关。

人性本善，一个人赤裸裸的来到这个世上，没有半点邪恶，就像开始提到的那个普通的四方体一样。人一旦出世，就会受到外界的影响，年龄越大，外界的影响因素就越多，最终再重回宁静。七情六欲都是外界影响的客观因素，没有人活得像绝缘体一般与世隔绝，受到影响，就必然会发生变化。

我真希望世人都能修成绝缘体一般，与世无争，百毒不侵，不受世俗牵制，哪怕修不成绝缘体，也不要修成导体，任何条件变化，都会引起连锁反应。介于绝缘体和导体之间的，还有一种半导体，我想，这可能是大多数人所能达到的一种境界。

载流子在导体中运动，受到外加磁场的影响，就会受到洛伦兹力的作用而向一端发生偏转，受力方向可通过左手定则判断，另一端就会出现异种电荷，这样，内电场就形成了，对外表现就是两端电势差的形成。

这个电势差就是霍尔电势的外在表现，用Uh表示，这个电势差与磁感应强度B和电流强度I成正比，与载流子浓度nq和四方体厚度d成反比，可以表示为：E=Uh=BI/nqd。

通过这个公式可以看出，导体根本就不适合做霍尔传感器，因为它的载流子浓度太高，Uh就非常小，这对测量是非常不利的，霍尔传感器所用的材料都是半导体材料。这也是看到霍尔效应定义多采用半导体表述的原因。