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进日宣布推出IXD0579M高速栅极驱动器集成电路。IXD0579M简化了电路板设计，节省了空间，并为驱动半桥配置中的N沟道MOSFET或IGBT提供了可靠的多源替代方案。

IXD0579M设计用于在6.5 V至18 V的宽电源范围内工作，在单个紧凑的3×3 mm2 TDFN-10封装中集成了一个自举二极管和一个串联限流电阻器，这些元件通常需要分立安装。这种创新的集成设计减少了物料清单上的元件数量和成本，同时也简化了PCB布局。

主要产品特性和优势

●   高驱动能力：1.5 A拉电流和2.5 A灌电流输出驱动电流；

●   宽供电电压范围：在6.5V至18V范围内工作，具有UVLO保护；

●   集成自举电路：片内自举二极管和电阻简化设计；

●   逻辑电平兼容性：直接与TTL和CMOS电平（低至3.3 V）对接；

●   交叉传导保护：防止高压侧和低压侧同时导通；

●   超低待机电流：待机模式下功耗小于1 μA，实现高效节能；

●   热鲁棒性：-40℃至+125℃工作温度范围。

“Littelfuse开发的IXD0579M可直接替代常用的行业标准栅极驱动器集成电路。”Littelfuse集成电路部产品经理June Zhang表示，“这为客户提供了更大的灵活性来保障供应，同时还通过集成方案简化了他们的电路设计。”

IXD0579M是Littelfuse首款同时集成自举二极管和限流电阻的栅极驱动器，进一步丰富了公司日益扩大的功率控制解决方案产品阵容。作为Littelfuse发布的第十一款高压侧/低压侧驱动装置，该产品巩固了公司在服务需要高性能和供应链连续性的“多来源”市场的领先地位。

目标市场和应用

IXD0579M专为高频开关而设计，非常适合用于：

●   无刷直流（BLDC）电机驱动；

●   电池供电的手持工具；

●   DC-DC转换器和电源；

●   一般工业和电气设备；

紧凑的外形和稳健的性能使其非常适合空间受限的设计和高效功率级应用。

供货情况

IXD0579M提供TDFN-10卷带封装，每卷3,000支。可通过全球授权的Littelfuse经销商提交样品申请。