篮网希望下赛季签下易建联 总经理：我
- 使用温度计算和Arrhenius方程了解电阻器和放大器的老化行为，以了解电阻器漂移、电阻器稳定性和运算放大器漂移。之前，我们讨论了使用相对较短的测试时间来评估电子元件长期稳定性的高温加速老化方法。在本文中，我们将继续讨论并研究电阻器和放大器的老化行为。老化预测——老化引起的电阻漂移首先，让我们记住电阻器的值会随着时间而变化。在许多电路中，只需要总的精度，电阻器老化可能不是一个严重的问题。然而，某些精密应用需要在指定寿命内长期漂移低至百万分之几的电阻器。因此，开发具有足够精度的老化预测模型以确保所采用的精密
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电子元件老化，电阻，运算放大器，老化效应，Arrhenius
- 0 引言 垂直导电双扩散场（VDMOS）效应晶体管是新一代集成化半导体电力器件的代表［1］。与功率晶体管相比，具有输入阻抗高、热稳定性高、开关速度快、驱动电流小、动态损耗小、失真小等优点。因此VDMOS广泛应用在
- 关键字：
Arrhenius VDMOS 模型 可靠性
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