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IC芯片 晶圆级 射频测试 I-V/C-V测试
- 解决问题：脉冲I-V测试 ——纳米测试小技巧
在对纳米器件进行电流-电压(I-V)脉冲特征分析时通常需要测量非常小的电压或电流，因为其中需要分别加载很小的电流或电压去控制功耗或者减少焦耳热效应。这里，低电平测量技术不仅对于器件的I-V特征分析而且对于高电导率材料的电阻测量都非常重要。利于研究人员和电子行业测试工程师而言，这一功耗限制对当前的器件与材料以及今后器件的特征分析提出了巨大的挑战。
与微米级元件与材料的I-V曲线生成不同的是，对纳米材料与器件的测量需要特殊的
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吉时利 纳米测试 脉冲I-V测试
- 通用测试
电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
这类测量的基本特征非常适用于各种应用和培训。大学的研究实验室和半导体厂商利用这类测量评测新材料、新工艺、新器件和新电路。C-V测量对于产品和良率增强工程师也是极其重要的，
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吉时利 C-V测试 半导体 MOSFET MOSCAP
c-v测试介绍
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