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据北京亦庄官微消息，近日，由北京显芯科技有限公司（以下简称“显芯科技”）参与研制的全球首款28nm内嵌RRAM（阻变存储器）画质调节芯片在京量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED高端系列电视中，标志着我国显示类芯片达到新的半导体工艺高度。据相关负责人介绍，当前全球半导体顶尖工艺已经来到2nm时代，但对于半导体显示来说，综合考虑成本问题，28nm是目前国内工艺的天花板。画质调节芯片要求集成各种补偿算法，开发难度高，制造要求先进逻辑制程，是显示芯片品类国产化率最低的产品之一。为推动中国芯片国产化进展
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显芯科技 28nm RRAM 阻变存储器
近日，悦芯科技和睿科微达成战略合作，成功开发了国内首个基于睿科微RRAM IP的芯片量产测试方案，并已正式进入量产。据介绍，悦芯科技的T800 SOC测试平台具备的Memory Test
Option功能，为RRAM芯片的量产提供了坚实的技术支持。在首颗RRAM芯片量产成功的基础上，悦芯科技将继续支持多款RRAM
IP芯片的量产，为客户提供高性能、可靠的完整量产测试解决方案。悦芯科技的T800
SOC自动测试设备以模块化设计为主要特色，为不同类别的IC器件提供针对性的测试模块，实现在单一平台上
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新型存储 RRAM
【2025-08-04，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和台积电近日宣布，两家公司准备将台积电的可变电阻式记忆体制程技术引入至英飞凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。??自首个发动机管理系统问世以来，嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元（ECU）的主要构建模块。这些微控制器是打造绿色、安全和智能汽车所不可或缺的组成部分，被应用于驱动系统、车辆动态控制、驾驶辅助和车身应用中，助力汽车领域在电气化、全新电子电气（E/E）架构和
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英飞凌 台积电 RRAM 汽车微控制器
11月25日，英飞凌和台积电宣布，两家公司正准备将台积电的电阻式RAM（RRAM）非易失性存储器（NVM）技术引入英飞凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并将在台积电的28纳米节点上制造。自第一个发动机管理系统问世以来，嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元(ECU)的主要构建块。目前，市场上大多数MCU系列都基于嵌入式闪存技术（eFlash）技术。而RRAM是嵌入式存储器的下一步，可以进一步扩展到28纳米及以上。英飞凌AURIX TC4x MCU系列将性能扩展与虚拟化、安全和网络功能的最新趋势相
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台积电 RRAM 入英飞凌 汽车MCU
存储器的发展取决于应用场景的变化，当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求，新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐渐受到市场重视。近日，英飞凌官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash），并将在台积电的28纳米节点上制造。当前，英飞凌基于台积电28纳米eFlash技术的Autrix
TC4x系列微控制器样品已
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台积电 英飞凌 存储 RRAM
据英飞凌称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash），并将在台积电的28纳米节点上制造。虽然基于台积电28纳米eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器样品已经交付给主要客户，但基于台积电28纳米RRAM技术的第一批样品将于2023年底提供给客户。英飞凌表示，Autrix TC4x系列微控制器专为ADAS而设计，可提供新的E/E架构和经济实惠的AI应用。嵌入式闪存微控制器自推出第一批发动机管理系统以来，就被用作
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英飞凌 汽车MCU RRAM
在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
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存储技术 MRAM RRAM PCRAM
FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。关于铁电质下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以
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RRAM
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布，与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。同时，兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业—合肥睿科微（Reliance Memory）签署了授权协议 。根据协议内容，兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用，这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM 领域的前瞻性技术布局，从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。RRAM作为一种非
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协议 专利 RRAM
日前，一年一度的中国存储峰会在北京如期举行，“数据中流击水，浪遏飞舟”是今年大会主题，论道存储未来，让数据释放价值，业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读，干货满满。下午第三分论坛，中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾，就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示，当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)
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忆阻器 RRAM
日前，一年一度的中国存储峰会在北京如期举行，“数据中流击水，浪遏飞舟”是今年大会主题，论道存储未来，让数据释放价值，业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读，干货满满。下午第三分论坛，中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾，就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示，当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)
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RRAM DRAM
你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。不过,在内存天下三分的大背景下,新一代存储技术3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音, RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。到目前为止,RRAM的发展进程已经超越了英特尔的3D X-point技术, Crossbar公司市场和业务拓展副总裁Sylvain Dubois在2017中芯国际技术研讨会上接受与非网的采访时说:&ldquo
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RRAM DRAM
导语：上世纪中叶单晶硅和半导体晶体管的发明以及硅集成电路的研制成功，为后来的科技进步奠定了坚实的基础。随后，科研工作者们不断探索，先后将多种新型材料引入该产业，才有了如今半导体产业的蓬勃发展。全世界都在寻找更优质半导体材料的道路上不曾止步，而一种新型二维材料的出现，或指明了未来存储器的发展方向。
三维(3D)材料以其实用性好，加工简便及成本低廉等特点一直在各大行业的占据着主导地位，而无论在科研界还是工业界，人们对二维材料的研究与应用却始终屈指可数。我们知道所有物质的结构都是由原子在三维空间堆叠而
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RRAM 存储器
物联网的出现和人类生活对智能设备永不满足的需求正驱动着传统智慧在微控制器和嵌入式内存市场的彻底变革。
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RRAM 嵌入式存储
阻变式存储器(RRAM)技术的领导者Crossbar公司今日宣布正式进军中国市场，并在上海设立新的办事处。
Crossbar公司首席执行官George Minassian博士表示：“中国是电子行业发展最快的市场，亦是绝大多数产品的制造基地。凭借我们在中国深厚的风投实力和资源、新成立的本地办事处以及行业领先的技术，我们相信将在中国消费电子、企业、移动、工业和物联网等市场掀起新一轮电子创新浪潮。此外，我们近期与中芯国际已达成合作，将我们的嵌入式技术用于中芯国际40nm甚至更高工艺，有望使
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Crossbar RRAM
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