金立S10配置怎么样 金立S10参数配置详情介绍
同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS?”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种
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英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET，进一步降低应用损耗并提高可靠性
- 在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电
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东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关
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恩智浦与日立能源合作开发电源模块，加快碳化硅在电动交通领域的采用
- 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布与日立能源合作，加快碳化硅（SiC）电源半导体模块在电动交通领域的采用。此次合作项目为动力逆变器提供基于SiC MOSFET的解决方案，更高效可靠且功能安全，该解决方案由恩智浦先进的高性能GD3160隔离式高压栅极驱动器和日立能源RoadPak汽车SiC MOSFET功率模块组成。产品重要性电动汽车厂商采用SiC MOSFET动力器件，可比采用传统硅IGBT获得更高的续航里程，提高系统整体效率。SiC MOSFET功率器件带有高性能功率
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非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计
- 离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路（有时称为缓冲器），以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。低成本的无源网络可以有效地实现电压钳位，但在每个开关周期必须耗散钳位能量，这会降低效率。一种改进的方法就是对钳位和功率开关采用互补驱动的有源钳位技术，使得能效得以提高，但它们会对电源的工作模式带来限制（例如，无法工作于CCM工作模式）。为了克服互补有源钳位电路所带来的设计限制，可以采用另外一种更先进的控制技术，即非互补有源钳位。该技术可确保以
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英飞凌推出全新的OptiMOS?源极底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛，涵盖电机驱
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Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC
- InnoSwitch3产品系列阵容再度扩大，新器件不仅能显著减少元件数量，还可大幅提高电动汽车和工业应用的效率
- 关键字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 电动汽车 牵引逆变器
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]
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