华为畅享7Plus什么时候出 华为畅享7Plus发布时间
- 这是一场追光人的技术狂欢也是一次深入纳米芯球的探索之旅我们发出光刻英雄帖，集结菁英光刻「芯」势力与ASML共寻技术之美【赛事介绍】ASML光刻「芯」势力知识挑战赛由全球半导体行业领先供应商ASML发起，是一项面向中国半导体人才与科技爱好者的科普赛事。依托ASML在光刻领域的技术积累与行业洞察，赛事致力于为参赛者打造一个深度探索光刻技术的知识竞技窗口，同时培养优秀科技「芯」势力，共同推动摩尔定律演进。本次挑战赛聚焦光刻技术教育普及，通过涵盖光学、物理学知识的专业试题带领参赛者深入了解光刻机、计算光刻、量测等
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- 近日，英特尔前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，担任董事会执行董事长，xLight官网上个月也公布了这一消息。xLight是一家面向极紫外（EUV）光刻机开发基于直线电子加速器的自由电子激光（FEL）技术的EUV光源系统的初创公司。xLight虽然规模很小，但其团队在光刻和加速器技术领域拥有多年的经验，不仅拥有来自斯坦福直线加速器和其他地方的粒子加速器资深研究人士，其首席科学家Gennady Stupakov博士还是2024年IEEE核能和等离子体科学学会粒子加速器科学
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- 荷兰政府宣布了限制某些先进半导体设备出口的新规定，这些规定将于9月1日生效。具体而言，荷兰政府将要求先进芯片制造设备的公司在出口之前须获得许可证。ASML在其官网发表声明称，该公司未来出口其先进的浸润式DUV光刻系统（即TWINSCAN NXT:2000i及后续浸润式系统）时，将需要向荷兰政府申请出口许可证。而ASML强调，该公司的EUV系统的销售此前已经受到限制。据ASML官网提供的信息，该公司目前在售的主流浸没式DUV光刻机产品共有三款，分别是：TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
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- 近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme
ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当
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- 近日美国商务部工业安全局（BIS）宣布将六项新兴技术添加到《出口管理条例》（EAR）的商务部管制清单（CCL）中。据了解，目前受到出口管制的新兴技术总数已经达到了37项。美国商务部在官网发布公告中写道：“此举是为了支持关键及新兴技术这一国家战略.”“关键技术和新兴技术国家战略是保护美国国家安全，确保美国在军事、情报和经济事务中保持技术领先地位的重要战略部署。”美国商务部部长Wilbur
Ross说道，并表示“美国商务部已经对30多种新兴技术的出口实施了管控，我们将继续评估和确定未来还有哪些技术需要管控
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光刻
- 台积电昨天召开了第一次虚拟技术研讨会，公布了3纳米光刻及未来路线计划。过去几年，台积电已经与英特尔旗鼓相当，在半导体领域占据了领导地位。在今年年初英特尔宣布推迟其7纳米工艺后，台积电正抓住机会，以行业领导者的身份继续“攻城略地”。据台积电高级副总裁米玉杰表示，该公司有计划继续提供有意义的节点改进，直到N3及以下。总的来说，7纳米得到了一系列产品系列的支持，而不仅仅是单一的芯片类型或类别，它贡献了台积电2020年第二季度36%的收入。接下来，关于N5和N6节点的一些更新。根据台积电的说法，N6比N5的逻辑密
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- 日前，中国国际半导体技术大会（CSTIC）在上海开幕，为期19天，本次会议重点是探讨先进制造和封装。其中，光刻机一哥ASML（阿斯麦）的研发副总裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能够处理7nm和更先进工艺的设备，EUV技术已经被广泛认为是突破摩尔定律瓶颈的关键因素之一。Yen援引统计数据显示，截至2019年第四季度，ASML当年共售出53台EUV NXE：3400系列EUV光刻机，使用EUV机器制造的芯片产量已经达到1000万片。他说，EUV已经成为制造7nm、5nm和3nm逻辑集成电
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- 近日，泛林集团发布了一项用于EUV光刻图形化的干膜光刻胶技术。泛林集团研发的这项全新的干膜光刻胶技术，结合了泛林集团在沉积、刻蚀工艺上的领导地位及其与阿斯麦?(ASML) 和比利时微电子研究中心?(imec)?战略合作的成果，它将有助于提高EUV光刻的分辨率、生产率和良率。泛林集团的干膜光刻胶解决方案提供了显著的EUV光敏性和分辨率优势，从而优化了单次EUV光刻晶圆的总成本。由于领先的芯片制造商已开始将EUV光刻系统应用于大规模量产，进一步提升生产率和分辨率将帮助他们以更合理
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- 6月末也是在大阪召开G20结束的时间，此次出口限制可谓是对韩国企业的一次“偷袭”！此次“偷袭”使人想起了第二次世界大战时的“日本偷袭珍珠港”。
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- 台积电官方宣布，已经开始批量生产7nm N7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术，意义非凡，也领先Intel、三星一大步。
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- 在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore
niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕(图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的复制品。
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- 昨天关于中国成功超分辨率光刻机的新闻刷爆了朋友圈，这个新闻出来以后，舆论出现了两个极端，一堆人说很牛，一堆人说吹牛。那么这两种说法到底谁对谁错呢? 我们先看一下新闻： 由中国科学院光电技术研究所主导的项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。 这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10纳米级别的芯片。 中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示，该光刻机在365nm光源波长
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- 如今对于一些技术节点，设计人员需要在晶圆代工厂流片和验收之前进行光刻友好设计(Litho Friendly Design) 检查。由于先进节点的解析度增进技术(RET) 限制，即使在符合设计规则检查 (DRC) 的设计中，我们仍看到了更多的制造问题。
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- 中国芯片制造业高端装备一直以来依赖国外进口，尤其是高端光刻设备受到西方封锁，有钱也买不到，或是毫无竞价权，国内进口集成电路装备采购每年达数十亿美元。在高新区的合肥芯碁微电子装备有限公司，正在通过自主创新，改变这种现况。
据介绍，合肥芯碁微电子装备有限公司主要经营微电子高端装备研发、制造、技术服务。公司技术团队是以曾承接国家02重大科技专项《130—65nm制版光刻设备及产业化》项目核心人员为基础，结合国内外业界精英组成，60%以上硕博士。团队骨干均为国内首创激光直写光刻设备、激光曝光
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光刻 芯片
- 摘要：近日，明导公司与北京理工大学合作创建了光电联合实验室。合作仪式期间，部分专家学者谈到目前晶圆制造人才非常缺乏，人才培养迫在眉睫。
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晶圆 OPC RET 光刻 201407
光刻介绍
光刻 利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术，在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、 [
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