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- 电容是由两块平行的导电极板所构成，充电时以电场形式进行能量储存。并可以在放电电路中把储存的能量释放。电容根据其在电路中所起作用分为耦合电容、旁路电容、滤波电容，定时电容、自举电容、定时电容、加速电容、软启动电容、谐振电容等。旁路电容多出现在和电阻并联形式电路，为交流信号、高频信号提供的低阻抗通路，也可以把由于电流的波动，而产生噪音旁路到地。耦合对交流来说就是连接，无损传递的意思。定时电容是利用电容充放电规律特性，用于电源电路中的驱动脉冲宽度、频率控制。谐振电容往往是电容和电感相伴出现。它俩之间的充放电而形
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电容 无源器件 电路设计
- Naveen Verma?在普林斯顿大学的实验室就像一个博物馆，展示了工程师们试图通过使用模拟现象而不是数字计算来提高 AI 超高效的所有方法。一个工作台上是有史以来最节能的基于磁记忆的神经网络计算机。在另一个位置，您会发现一个基于电阻存储器的芯片，它可以计算迄今为止任何模拟 AI?系统中最大的数字矩阵。Verma 表示，两者都没有商业前景。不那么仁慈的是，他实验室的这一部分是一个墓地。多年来，Analog AI?一直吸引着芯片架构师的想象力。它结合了两个关键概念，这两个概念
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EnCharge AI 电容 半导体元件 模拟AI
- 电源完整性在现今的电子产品中相当重要。有几个有关电源完整性的层面：芯片层面、芯片封装层面、电路板层面及系统层面。在电路板层面的电源完整性要达到以下三个需求：1、使芯片引脚的电压噪声+电压纹波比规格要求要小一些（例如芯片电源管脚的输入电压要求1V之间的误差小于+/-50 mV）2、控制接地反弹（地弹）（同步切换噪声SSN、同步切换输出SSO）3、降低电磁干扰（EMI）并且维持电磁兼容性（EMC）：电源分布网络（PDN）是电路板上最大型的导体，因此也是最容易发射及接收噪声的天线。“地弹”，是指芯片内部“地”电
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电容 去耦电容 PCB设计
- 旁路电容是电子设计中常用的电容器之一，主要用于过滤电源噪声和稳定电源电压。在实际应用中，0.1uF电容器是最常用的旁路电容值之一，那么为什么常用旁路电容是0.1uF而不是其他值？这个值又是怎么来的呢？本文将深入探讨这个问题。旁路电容滤除电源输出干扰在实际应用中，旁路电容的选择需要考虑多个因素，例如电源噪声频率、容值大小、ESR、EMI等。不同的电路设计可能需要不同的旁路电容值。但是，我们发现0.1uF电容器是最常用的旁路电容值之一。01容值大小旁路电容的大小需要根据电路的实际情况来选择，电源噪声的滤波电容
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电容 无源器件 旁路电容
- MLCC制作工艺流程：1、原材料——陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能)；2、球磨——通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级)；3、配料——各种配料按照一定比例混合；4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状；5、流沿——将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料，保证表面平整)；6、印刷电极——将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上保证，不同MLCC的尺寸由该工艺保证)；对卷状介电体板涂敷金属焊料，以作为内部电极。近年来，多层陶瓷电容器以N
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电容 无源器件 MLCC
- 典型的半导体电容在pF或nF范围内。许多商业上可用的LCR表或电容计补偿后可以使用适当的测量技术来测量这些值，然而，一些应用需要在飞秒法（fF）或1e-15范围内进行非常灵敏的电容测量。这些应用包括测量金属到金属的电容，晶片上的互连电容，MEMS器件，如：开关，纳米器件端子之间的电容。如果没有使用适当的仪器和测量技术，这些非常小的电容很难进行测量。使用4200A-SCS参数分析仪配备的4215-CVU（CVU），用户能够测量大范围的电容，<1pF非常低的电容值也能测到。CVU采用独特的电路设计，并由
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电容 测量
- 电容思维导图如下：电容有四大作用：去耦、耦合（隔直通交）、滤波、储能。今天我们主要谈论去耦作用。电容封装相信大家都用过这几种电容，板子上最多的是多层陶瓷电容。钽电容：主要用在电源电路中，博主被它炸过很多次......去耦电容这是 STM32F103 最小系统原理图，STM32F103VET6 需要五路 3.3V 供电，他的 3.3V 一般来源于 LDO（低压差线性稳压器），比如 LM1117。5V转3.3V的电路：LDO 比 DC-DC 的方式（TPS5430）更能提供稳定的电压，但对芯片来说依旧不够，我
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电容 选型推荐 滤波
- 输入电容纹波电流有效值计算相信很多人都知道Buck电路中输入电容纹波电流有效值，在连续工作模式下可以用以下公式来计算：然而，相信也有很多人并不一定知道上面的计算公式是如何推导出来的，下文将完成这一过程。众所周知，在BuckConverter电路中Q1的电流（IQ1）波形基本如图1所示：0～DTs期间为一半梯形，DTs～Ts期间为零。当0～DT期间Iq1 ⊿I足够小时（不考虑输出电流纹波的影响），则Iq1波形为近似为一个高为Io、宽为DTs的矩形，则有：Iin=(Vo/Vin)*Io＝DIo （Iin，只要
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开关电源 电容
- 我们看到一个电容器由两个平行的导电板组成，该电导板由绝缘体分离，并且在一块板上具有正（ + ）电荷，另一个板上的负电荷（ -）电荷在另一个板上。 我们还看到，当连接到DC（直流电流）电源时，一旦电容器充满电，绝缘体（称为介电）会阻止电流通过它的流动。 电容器像电阻一样反对电流流动，但与电阻器以热的形式消散其不必要的能量，当电荷充电和释放时，电容器将能量存储在其板上，或者在放电时将能量归还到连接的电路中。 电容器通过将电荷在其板上存储在电流中反向或“反应”的能力称为“电抗”，因此，由于该电抗与电容器有
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电容 电压 分隔器
- MLCC——多层片式陶瓷电容器，简称贴片电容，会引起噪声啸叫问题，这是为什么了？声音源于物体振动，振动频率为20Hz~20 kHz的声波能被人耳识别。MLCC发出啸叫声音，即是说，MLCC在电压作用下发生幅度较大的振动（微观的较大，小于1nm）。MLCC为什么会振动？在了解MLCC为什么要振动之前，我们要先了解一种自然现象，在外电场作用下，所有的物质都会产生伸缩形变——电致伸缩。对于某些高介电常数的铁电材料，电致伸缩效应剧烈，称为——压电效应。压电效应的定义：在没有对称中心的晶体上施加压力、张力和切向力时
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- 在高速串行电路中，隔直电容放到哪里好呢？一些工程师的回答无非会是两种情况：放到驱动端或者是放到接收端。有人说放到接收端，原因是：由于信号从驱动端通过传输线到接收端，期间会造成衰减，上升时间也会延长，当信号最终到达接收端的电容时，大部分的高频分量已经没有了，反射减少了，因此能有更多的信号到达接收端。（时域）一个SI工程师可能会告诉你：对于所有的无源链路，链路中所有的元素都是互相影响的，整个拓扑也是有关联的，不管信号是向前传还是向后传都是一样的。因此，跟电容放哪没关系。（频域）为了解决这个问题，下边用简单的方
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- 在电子设备的硬件设计中，多层陶瓷电容器（MLCC）是极为常见且关键的电子元件。它以其体积小、容量大、等效串联电阻低等优势，广泛应用于各类电路。然而，MLCC 在工作过程中可能会遭遇电应力击穿问题，这不仅影响设备的性能，还可能导致严重的失效。对于硬件工程师而言，深入了解 MLCC 电应力击穿机理，掌握失效分析方法和可靠性设计要点，是确保电子设备稳定运行的关键。一、陶瓷电容的基本结构片式多层陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。在 其内部，金属电极层与陶瓷介质层交替堆叠；金属内电
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- 在硬件设计这个看似平静的江湖中，实则每一个决策都暗藏汹涌。每一个元器件的选择，都可能成为项目成败的关键转折点。就像今天要讲的这个故事，一颗小小的电容，差点引发一场 “血案”。一、背景与问题暴露在神秘的以全志T527为核心芯片的“算力智能终端”的项目里，设计初期，Buck 电路的输入电容选用的是铝电解电容，直接参考全志的Demo板。这颗铝电解电容虽然具备大容量、低成本的特点，但其缺点也十分明显。它体积庞大，在电路板这个狭小的空间里，严重影响布局的合理性，如同巨人在狭窄巷道中艰难前行；等效串联电阻（ESR）过
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电容 无源器件
- 输入电容纹波电流有效值计算相信很多人都知道Buck电路中输入电容纹波电流有效值，在连续工作模式下可以用以下公式来计算：然而，相信也有很多人并不一定知道上面的计算公式是如何推导出来的，下文将完成这一过程。众所周知，在BuckConverter电路中Q1的电流（IQ1）波形基本如图1所示：0～DTs期间为一半梯形，DTs～Ts期间为零。当0～DT期间Iq1 ⊿I足够小时（不考虑输出电流纹波的影响），则Iq1波形为近似为一个高为Io、宽为DTs的矩形，则有：Iin=(Vo/Vin)*Io＝DIo （Iin，只要
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电容 无源器件
- “去耦” 中的 “耦” 原指耦合，在电路里，耦合表示两个或多个电路部分之间存在相互影响、相互干扰的电气连接关系。去耦电容名字里的 “去耦”，意在减少电路不同部分之间不必要的耦合干扰，具体原理如下：切断高频干扰传导路径：在电子电路系统中，不同的电路模块、器件各自工作，由于共用电源线路，一个模块产生的高频噪声很容易顺着电源线 “串门”，干扰到其他正常工作的模块，这就是一种耦合现象。去耦电容利用自身特性，为高频信号提供一条低阻抗的旁路通道，让高频噪声优先通过电容流入地，而非沿着电源线乱窜，切断了高频干扰在电路各
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电路设计 去耦 电容
电容介绍
电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。
电容的符号是C。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法。
电容的公式是：C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的，即：C=εS/4πkd 。ε是一个常数，与电介质的性质有关。k [
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