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- 简介化学机械抛光 (CMP) 是当今集成电路 (IC) 制造工艺中的关键作业。由于设计极其紧凑，并且 缩小到最先进的工艺技术节点，CMP 后的平面性变化可能会对制造成功产生重大影响。为了减轻 CMP 工艺的负面影响，大多数 IC 制造商使用 CMP 建模来检测前道工序 (FEOL) 和 后道工序 (BEOL) 层中的潜在弱点，作为其可制造性设计 (DFM) 流程的一部分。CMP 弱点分 析旨在寻找设计中经过 CMP 后出现缺陷的概率高于平均值的区域。不同材料在 CMP 工艺 下会表现出不同的腐蚀速率，因此
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神经网络 CMP 轮廓建模
轮廓建模介绍
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