肯尼亚选手包揽郑开国际马拉松男女冠军
- 追求二维材料中原始的电子质量是现代物理学和材料科学进步的核心，曼彻斯特大学的丹尼尔·戈尔巴乔夫和纳鑫领导的团队在这一领域取得了重大突破。研究人员与 Kenji Watanabe 和 Takashi Taniguchi 等同事合作，通过战略性地将石墨栅极放置在极靠近材料的位置，展示了石墨烯电子性能的变革性改进。这种创新方法涉及将栅极放置在仅一纳米之外，可显着减少电荷变化和潜在波动，最终提高石墨烯的迁移率，甚至超过最高质量的半导体异质结构。由此产生的材料表现出卓越的性能，能够观察以前被无序隐藏的微妙量子现象，
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石墨栅极 石墨烯 迁移率 半导体 异质结构
- 德国的研究人员报告说，在分子束外延 （MBE） 期间使用的表面平滑技术提高了砷化铟 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化镓 （GaAs） 衬底上的迁移率，特别是在低于 120K 的低温下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。来自柏林洪堡大学、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的团队评论道：“随着表面平滑的引
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GaAs InAs 量子阱 迁移率
- 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。
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半导体材料 迁移率
迁移率介绍
迁移率
在电场作用下，半导体中的载流子作定向漂移运动,由此形成的电流称为漂移电流。在电场强度不太大时，电子和空穴移动的速度（也称漂移速度）vn、vp与电场强度E成正比，可表示为
vn=－mnE 或vp=mpE
式中，mn为电子迁移率；mp为空穴迁移率。迁移率m是单位电场强度引起的载流子的平均漂移速度，其数值与半导体的材料、掺杂浓度、温度等有关。在室温300K时，硅材料的mn =0.13 [
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