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作者 |  高歌
编辑 |  心缘
芯东西7月13日报道，昨日，半导体设备厂商拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”）申报科创板IPO已获受理。拓荆科技主营业务为半导体薄膜沉积设备的研发、生产和销售，其主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个系列。目前拓荆科技的产品已广泛应用于国内的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，并开始了10nm及以下制程产品验证测试。

在半导体制程中，为了对所使用的材料赋与某种特性，在材料表面上常以各种方法形成薄膜而加以使用，这种薄膜形成的过程一般称为薄膜沉积。半导体薄膜沉积设备和光刻机、刻蚀机一样，是芯片制造的三大主设备。2018年-2020年，拓荆科技营收增长较快，从7064.4万元增长至4.36亿元，复合增长率达148.32%。本次IPO拓荆科技计划募资10亿元，计划分别用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进、ALD设备研发与产业化和补充流动资金4个项目。

国家集成电路基金为拓荆科技第一大股东，所占股份比例为26.48%。由于最近2年内，拓荆科技第一大股东所持股权比例不足控股，其他股东持股比例相对分散，所以拓荆科技不存在控股股东。2025-08-04至今，拓荆科技无实际控制人。

2019年营收增长255%，中芯国际、华虹集团、长江存储为主要客户

报告期内，2018年-2020年拓荆科技营业收入分别为7064.40万元、2.51亿元和4.36亿元，2021年第一季度其营收为5774.10万元。2019年和2020年拓荆科技营收较上年同期增幅分别为255.66%和73.38%。净利润方面，拓荆科技至今仍在持续亏损，但亏损金额有所减少。2018年-2020年拓荆科技净利润分别为-1.03亿元、-1936.64万元和-1087.57万元，2021年第一季度净利润为-944.59万元。报告期内，拓荆科技2018年-2021年第一季度各期研发费用分别为1.08亿元、7431.87万元、1.23亿元和2714.86万元，占各期营业收入的比例分别为152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。较大的研发投入是拓荆科技亏损的主要原因之一。

拓荆科技产品主要分为等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个系列。报告期内PECVD设备收入占总营收比例一直超过75%，业务收入增速也较快，是拓荆科技的主要收入来源。2018年、2019年、2020年和2021年第一季度PECVD设备收入占拓荆科技总营收比例分别为77.98%、100%、97.55%和100%。另外两项业务仍处于市场开拓阶段，2021年第一季度2项业务收入为0。

从销售情况来说，拓荆科技客户较为集中。其PECVD设备的主要客户有中芯国际、华虹集团、长江存储和重庆万国半导体科技有限公司；ALD设备主要客户为上海集成电路研发中心有限公司（ICRD）；SACVD设备的主要客户则是北京燕东微电子科技有限公司。其中，中芯国际、华虹集团和长江存储从2018年至2021年第一季度一直为拓荆科技前五大客户。

在供应方面，拓荆科技采购的原材料主要包括机械类、机电一体类、电气类、气体输送系统、真空系统和附属设备等。报告期内，拓荆科技前五大供应商变动较小，2018年至今7家厂商曾是拓荆科技的前五大供应商。

产品总体性能已达国际同类水平，研发人员占比超4成

从市场上来看，全球半导体薄膜沉积设备市场主要由美国应用材料、美国泛林半导体、日本东京电子、荷兰先晶半导体等企业占据主导地位。招股书显示，2019年，在全球化学气相沉积（CVD）设备市场中，应用材料、泛林半导体、东京电子的市场占有率分别为30%、21%和19%；在ALD设备全球市场中，东京电子（TEL）、先晶半导体（ASMI）的市场占有率分别为31%和29%。

相比于上述公司，拓荆科技在营收、毛利率和净利润等盈利指标上存在较大差距，在融资渠道和研发经费上相对不足。此外，拓荆科技的业务收入也比较集中，相对外国半导体设备巨头来说企业认知度不足，面临一定的市场进入壁垒。另一方面来看，拓荆科技已形成覆盖20余种工艺型号的薄膜沉积设备，满足晶圆制造产线多种工艺需求。其产品总体性能和关键性能参数已达到国际同类设备水平。

这样的产品性能离不开研发团队的努力和企业的技术积累。在研发团队方面，拓荆科技研发人员共有142人，占公司员工总数的43.56%。其核心技术人员有公司创始人兼董事姜谦、董事长吕光泉、总经理田晓明、副总经理张孝勇、副总经理周坚、监事会主席兼资深技术总监叶五毛和产品部总监宁建平等7人。其中，姜谦和田晓明拥有35年的半导体设备行业经验，吕光泉则具有27年的高端半导体设备行业研发、管理经验。3人都是美国国籍。

姜谦曾在美国布兰迪斯大学获博士学位。1982年1月至1984年6月，姜谦任麻省理工学院材料科学工程中心研究员。1984年7月，姜谦于英特尔就职，历任工程师、研究员、项目经理、部门经理等多个职位。此后他在美国诺发、欣欣科技（沈阳）有限公司担任过副总裁和执行董事职务。2010年4月至今，姜谦任职于拓荆科技。吕光泉为美国加州大学圣地亚哥分校博士，1994年8月至1996年4月，他任美国科学基金会尖端电子材料研究中心电子材料副研究员；1996年4月至2007年7月，吕光泉就职于美国诺发，历任高级工程师、PECVD工艺研发部经理、项目主任兼工艺研发高级经理、ALD技术高级经理；2007年7月至2014年8月，他就职于德国爱思强公司。2014年9月至今，吕光泉于拓荆科技任职。田晓明则有美国东北大学电子工程学硕士和新加坡南洋理工大学工商管理硕士学位。1991年9月至1994年12月，田晓明任美国Codi Semiconductor,Inc.工艺开发经理；1994年12月至2008年10月，他就职于泛林半导体，担任过资深工艺工程师、资深工艺研发经理、资深大客户经理、中国区技术总监等职位；2008年10月至2018年2月，田晓明为尼康精机（上海）有限公司资深副总裁；此后，田晓明就职于拓荆科技。技术积累方面，拓荆科技，在机台结构、传动模块、反应腔体、关键结构件、气路、温度控制系统等方面，形成了一系列自研设计，构建了较为完善的知识产权体系。截至招股书签署日，拓荆科技累计已获授权的专利167项，其中发明专利共计86项。
大基金为第一大股东，中微董事长尹志尧任董事

根据招股书，本茨发行前拓荆科技的前三大股东分别为国家集成电路基金、国投上海和中微半导体，其所持股份比例分别为26.48%、18.23%和11.20%。中微半导体也提名了其董事长兼总经理尹志尧作为拓荆科技董事。其余持股超过5%的股东还有嘉兴君励和润扬嘉禾，持股比例分别为7.39%和6.57%。

结语：收入来源较为单一，盈利周期仍不确定

在新建晶圆厂中，薄膜沉积设备作为晶圆制造的关键一环，其投资规模占晶圆制造设备总投资的25%左右。当前，全球薄膜沉积设备市场份额被应用材料、泛林半导体、东京电子等行业巨头所占据。拓荆科技作为我国薄膜沉积设备头部厂商之一，基本上代表了我国PECVD等产品的水平。其IPO如果能够成功，对我国薄膜沉积设备产业技术实力有着积极影响。但值得注意的是，拓荆科技当前收入较为依赖PECVD设备，ALD、SACVD设备处于市场开拓阶段，盈利周期有着不确定性。