数据看佩莱:场均10次空中对抗 神锋虐遍中超后防

目前台积电先进封装CoWoS的制程瓶颈在于硅穿孔（TSV）技术，TSV硅穿孔芯片堆栈并非打线接合，而是在各逻辑芯片钻出小洞，从底部填充入金属，使其能通过每一层芯片。再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满，形成连接的功能，最后将晶圆或晶粒薄化加以堆栈、结合（Bonding），作为芯片间传输电讯号用之立体堆栈技术。

随着IC设计业者继续将更多的逻辑、内存和特殊功能芯片整合到先进的2.5D和3D封装中，每个封装中的TSV互连导线数量扩展到数千个。为整合更多的互连导线并容纳更高的芯片堆栈，需将硅穿孔变得更窄、更高，造成沉积均匀性改变，因而降低了效能，也增加了电阻和功耗。

高效能运算和人工智能等应用对晶体管的需求以指数级速度成长，传统的2D微缩速度缓慢且变得更加昂贵，异质整合解决产业所面临的挑战，使芯片制造商能以新的方式改善芯片的功率、效能、单位面积成本与上市时间。

应用材料（简称：应材）为异质整合技术最大供货商，提供芯片制造系统，包括蚀刻、物理／化学气相沉积、退火与表面处理等设备。帮助半导体业者将各种功能、技术节点和尺寸的小芯片结合到先进封装中，使组合后的整体可作为单一产品的形式来运作。

应材指出，本次推出的新系统，包括Producer Avila PECVD电浆辅助化学气相沉积系统、PVD物理气相沉积系统，扩大了应材在异质整合领域与同业的差距。