福建省消费者权益保护委员会 2017年第一季度

近日，多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中，重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。

总投资32.7亿元，重投天科第三代半导体项目在深圳宝安启用

据滨海宝安消息，2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用，其由深圳市重投天科半导体有限公司建设运营，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”，助力广东打造国家集成电路产业发展“第三极”。

滨海宝安消息显示，该项目2021年11月开工建设，2022年11月关键生产区域厂房结构封顶，2023年6月衬底产线正式进入试运行阶段。

第三代半导体碳化硅材料生产基地总投资32.7亿元，是广东省和深圳市重点项目，深圳全球招商大会重点签约项目。其中，围绕生产衬底和外延等制造芯片的基础材料，该项目重点布局了6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，预计今年衬底和外延产能达25万片，将有效解决下游客户在轨道交通、新能源汽车、分布式新能源、智能电网、高端电源、5G通讯、人工智能等重点领域的碳化硅器件产业链发展的原材料基础保障和供应瓶颈，为深圳及广东本地龙头企业长期提供稳定可靠足量的衬底及外延材料，以加快推动全产业链核心技术自主可控和量产原材料保障。

未来，重投天科还将设立大尺寸晶体生长和外延研发中心，并与本地重点实验室在仪器设备共享及材料领域开展合作，与重点装备制造企业加强晶体加工领域的技术创新合作，联动下游龙头企业在车规器件、模组研发等工作上联合创新，并助力深圳提升8英寸衬底平台领域研发及产业化制造技术水平。

35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工

菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。

据悉，菏泽市牡丹区砷化镓半导体项目，是由山东水发联合台湾半导体龙头企业共同投资建设，项目总投资35亿元，计划分两期实施。一期工程计划投资15亿元，建设4/6英寸砷化镓生产线，主要生产砷化镓半导体面射型镭射VCSEL产品，年产芯片6万片。建设期1.5年，预计2025年7月试生产。

二期工程计划投资20亿元，建设4/6英寸第三代化合物半导体氮化镓GaN和碳化硅SiC生产线，主要生产功率半导体器件及耐高压新能源汽车逆变器，以满足多元化市场需求。二期工程计划2026年下半年开工建设，预计2028年上半年投产。

谱析光晶1亿元SiC芯片项目签约浙江

近日，浙江省杭州市萧山区瓜沥镇举行推进新型工业化暨项目开工签约大会，会上集中签约开工的18个项目总投资超20亿元，涉及半导体芯片、集成电路设计与组件等领域。其中新签约项目包含谱析光晶投资的年产10万台第三代半导体芯片与系统生产基地项目，该项目计划总投资1亿元。

据悉，谱析光晶主要生产基于第三代半导体材料碳化硅（SiC）等的驱动系统与模组，应用在电动汽车电控模组等超高可靠性要求领域。该公司具备从芯片级到模块级再到系统级的优化和生产能力。此前报道，谱析光晶自2020年成立以来，每年的营收增长率在300%以上，2023年公司实现营收8000万元，在手订单3亿元，预期2024年营收超过2亿元，计划在2025年申报IPO。

产品方面，谱析光晶已批量出产数款1200V、30毫欧以内的高端SiC SBD和车规级MOS芯片。业务方面，2025-08-04，谱析光晶、乾晶半导体与绿能芯创签订战略合作协议，共同开发及验证应用于特殊领域的SiC相关产品，并签订了5年内4.5亿元的意向订单。随着本次项目建成达产，谱析光晶SiC芯片产能有望再上一个台阶。

14.7亿，赛达半导体年产30万片SiC外延项目启动

近日，赛达半导体科技有限公司（以下简称赛达半导体）碳化硅（SiC）外延项目环评消息公示。

公告显示，该项目总投资约14.7亿元，占地面积11979m2，总建筑面积7887m2，将租赁长城汽车徐水分公司原有厂房和空地（华讯厂房），形成公司生产和研发厂房。项目拟购置外延设备、测试设备、清洗设备等主要生产、研发和附属设备，先期产能1.5万片/年，2027年规划产能为30万片/年。

天眼查资料显示，赛达半导体成立于2023年10月，由稳晟科技（天津）有限公司全资持股，后者控股股东、实控人为长城汽车董事长魏建军。

早在2023年5月，长城控股招标中心便发文称已启动“精工自动化SiC外延厂房改造设计项目”；2023年9月，该项目落户河北省保定市徐水经开区，签约方为稳晟科技（天津）有限公司，主建方则为赛达半导体。

总投资20亿，新华锦第三代半导体碳材料产业园项目落户山东

2月21日，山东省平度市举行2024年重点产业项目春季集中签约活动，48个项目集中签约，其中就包括新华锦第三代半导体碳材料产业园项目。

据了解，新华锦第三代半导体碳材料产业园项目位于平度市经济开发区，项目由新华锦集团投资建设，总投资20亿元，主要建设年产5000吨半导体用细颗粒等静压石墨和1000吨半导体用多孔石墨生产基地。青岛是国内石墨资源的主产地之一。根据新华锦集团官方资料，集团在平度收购了两个石墨矿。近年来，集团与中国科学院山西煤化所合作建设了高性能等静压石墨和特种多孔石墨项目，生产的产品是第三代半导体碳化硅长晶用的核心基础石墨材料，经过国家石墨产品质量检验中心权威部门认证，在技术水平和产品性能上超越了进口产品。

据了解，新华锦集团是按照山东省政府“推进省属外贸企业改革重组”的战略部署，由新华锦集团有限公司联合多家省级外贸企业组建的产业化、国际化、综合性企业集团。

石墨新材料板块是新华锦集团重点发展的业务板块之一。除上述项目外，2023年11月，新华锦集团旗下青岛华锦新材料科技发展有限公司（以下简称“华锦新材”）正式点火投产。该项目主要生产第三代半导体芯片用特种石墨材料，为国内下游SiC半导体行业的发展扫清基础原材料障碍。

华锦新材是新华锦集团与中国科学院山西煤化所技术转化落地企业，专业生产大规格、细颗粒特种石墨材料产品，产品性能指标国内领先，主要应用于第三代半导体SiC衬底热场领域、3D热弯模具等。

近日，新华锦在投资者问答平台表示，公司将集中精力和资源进行石墨新材料产业布局，对内通过自主研发、技术创新提高石墨产品附加值，打造一流的石墨精炼生产基地；对外将以石墨矿为起点，向下游积极探索和布局石墨在新材料领域的应用，与科研机构、专业院校开展技术合作与交流，与控股股东新华锦集团在石墨新材料业务协同发展，通过外延式并购，建立多层次的石墨产品体系。

24万片！普兴电子6英寸SiC外延片项目启动

2月26日，河北普兴电子科技股份有限公司（以下简称“普兴电子”）官网信息显示，公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示（以下简称公告）。

公告显示，本项目总投资35070.16万元，利用公司1#厂房进行改扩建，建筑面积约4000平米，购置碳化硅（SiC）外延设备及配套设备116台（套）形成一条6英寸低密度缺陷SiC外延材料生产线。项目建成后，将实现年产24万片SiC外延片的生产能力。

普兴电子官网资料显示，公司成立于2000年11月，致力于高性能半导体材料的外延研发和生产，是中电科半导体材料有限公司（以下简称电科材料）控股子公司。普兴电子的主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓（GaN）和SiC外延片，可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电等领域。

近年来，电科材料下属普兴电子积极布局第三代半导体外延材料的研发生产，在2021年9月启动了占地面积130亩的新外延材料产业基地建设项目，并于2022年4月完成主厂房封顶，9月搬入首批生产、检验设备，11月即实现了首片硅外延和SiC外延下线，标志着该产业基地正式进入试生产和验证阶段。

据悉，2022年4月，普兴电子还公示一项“6英寸碳化硅外延片产业化项目”，本项目总投资18000万元，租用同辉公司（隶属于中电科十三所）现有厂房，采购SiC外延炉15台及配套测试仪器等，建设完成1条6英寸SiC外延片批量生产线，实现年产6英寸SiC外延片6万片的生产能力。   

随着6英寸低密度缺陷SiC外延片产业化项目落地实施，普兴电子6英寸SiC外延片产能将得到较大提升，有助于公司进一步深化第三代半导体外延材料领域布局。

这个8英寸SiC和GaN晶圆厂项目签约福建

2月20日，在福州市可持续发展暨企业家大会主会场及长乐分会场，长乐区签约落地16个重大项目，其中之一为天睿半导体项目。

资料显示，福建天睿半导体有限公司成立于2023年2月，注册资本50亿人民币，经营范围含电子元器件制造、批发，电力电子元器件销售；电子元器件与机电组件设备制造、销售等。

据悉，天睿半导体项目将新建8英寸碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）晶圆厂，并通过产业并购和新建项目等方式布局第三代半导体衬底外延、晶圆制造、器件设计、系统应用及相关设备生产等全产业链。项目落地后将为福州带来先进的SiC、GaN等领域生产研发经验，打造千亿级第三代半导体产业集群。

值得一提的是，福州近日还新签约两个GaN项目，总投资额超10亿元。其中之一为芯睿半导体GaN晶圆厂项目，由福建芯睿半导体有限公司建设。芯睿半导体成立于2023年12月，注册资本50亿人民币，经营范围含电子元器件批发、电力电子元器件销售、电子元器件与机电组件设备销售、电子元器件与机电组件设备制造、电子元器件制造等。

另外一个项目为福州镓谷GaN外延片项目，由福州镓谷半导体有限公司建设，主营第三代半导体的研发与生产，预计投入10亿元，用地86亩，达产后年产能24万片。镓谷半导体成立于2022年7月，致力于第三代半导体材料GaN外延的研发与生产，产品包括硅基氮化镓（GaN on Si）、碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）、蓝宝石基氮化镓（GaN on Sapphire），主要应用于电力电子及功率器件。