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【580 1.5T大家加几号的油】风光580用车保养问答

iDEAL与电力系统专家Richardson Electronics, Ltd.签署SuperQ MOSFET技术合作伙伴协议

  • 继推出首批基于 SuperQ 的芯片之后,此举标志着自 25 多年前超级结技术以来,硅 MOSFET 架构的首次重大进步。宾夕法尼亚州里海谷,2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家专注于实现突破性效率的无晶圆厂功率半导体公司,该公司宣布将与电力和射频专家 Richardson Electronics 合作。根据该协议,iDEAL 将获得 Richardson Electronics 的设计团队和销售专家的支持,以扩展其基于公司新型专利、最先进 SuperQ 技术
  • 关键字: iDEAL  Richardson  SuperQ  MOSFET  

固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?

  • 固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,涵盖白色家电、供暖、通风和空调 (HVAC) 设备、工业过程控制、航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、模块化部分和接收器或解调器部分。每个部分包含一个线圈,两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。该技术与标准CMOS处理兼容,可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。图 1.分立 SSI 中使
  • 关键字: 固态隔离器  MOSFET  IGBT  优化SSR  

iDEAL的SuperQ技术正式量产,推出150V与200V MOSFET

  • iDEAL Semiconductor的SuperQ?技术现已全面量产,首款产品为150V MOSFET。同时,一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重大突破,在硅功率器件中实现了前所未有的性能与效率提升。该架构突破了硅材料在导通与开关方面的物理瓶颈,将n型导电区域扩大至高达95%,并将开关损耗较竞争产品降低高达2.1倍。该结构不仅改善了器件的电阻与功率损耗,同时保留了硅材料的诸多优势,包括高强度、量产能力强以及在175°C结温下的可靠性
  • 关键字: iDEAL  MOSFET  SuperQ  

选型必看!MOSFET四大非理想参数详解

  • 几乎所有的书籍资料,在讲解MOSFET的时候,都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构,然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不友好的,导致大家看了大量的表述没有理解,没有汲取到营养。各种三维、二维的图形,各式各样,也不统一。本章节,我们从应用的角度,来看我们选择一个开关的器件,当选择了一个MOSFET之后,他并不是一个完全理想的开关器件。通过其不理想的地方,理解他的一些关键参数。后续的内容,我们再通过微观结构去理解一下导致这些参数的原因
  • 关键字: 选型指南  MOSFET  无源器件  

基于onsemi NCP51752隔离式SiC MOSFET闸极驱动器评估板

  • NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5 A/-9A。 它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。 NCP51752提供短而匹配的传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt免疫力,甚至更快地关闭,NCP51752具有嵌入式负偏置轨机制在GND2和VEE引脚之间。 本用户指南支持NCP51752的评估板。 它应该与NCP51752数据表以及onsemi的应用说明和技术支持团队一起使用。 本文档描述了孤立单体的拟
  • 关键字: onsemi  NCP51752  隔离式  SiC  MOSFET  闸极驱动器  评估板  

Wolfspeed 1700 V MOSFET技术,助力重塑辅助电源系统的耐用性和成本

  • 在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中,都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级,此类电源通常受到的关注较少,但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。提高系统可靠性、减小系统尺寸以及缩减系统成本,同时最大限度地降低风险并支持多源采购——设计人员不断面临这些经常相互矛盾的挑战。Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列,可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的
  • 关键字: Wolfspeed  MOSFET  辅助电源系统  

CoolSiC? MOSFET G2如何正确选型

  • 之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC? MOSFET G2的产品特点及导通特性 (参考阅读: CoolSiC? MOSFET Gen2性能综述 , CoolSiC? MOSFET G2导通特性解析 ) ,今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下,如何进行CoolSiC? MOSFET G2的选型。G2在硬开关拓扑中的应用除了R DS(on) ,开关损耗在SiC MOSFET的选型中也扮演着非常重要的角色。因为SiC往往工
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  

罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”

  • 全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块,已应用于丰田汽车公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.,以下简称“丰田”)面向中国市场的全新跨界纯电动汽车(BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司(以下简称“BTET”)、一汽丰田汽车有限公司(以下简称“一汽丰田”)联合开发的跨界纯电动汽车,由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
  • 关键字: 罗姆  SiC MOSFET  丰田  纯电车型  

从单管到并联:SiC MOSFET功率扩展实战指南

  • 在10kW-50kW中高功率应用领域,SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时,只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升,为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。然而,功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的,并联还可以降低开关能耗,改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响,并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而,并非所有器件都适合并联, 因为参数差异会影响均流特性。本文
  • 关键字: 意法半导体  SiC  MOSFET  

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术,并采用紧凑型DFN8×8封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比,其体
  • 关键字: 东芝  DFN8×8  650V  SiC MOSFET  

工程师必看!从驱动到热管理:MOSFET选型与应用实战手册

  • MOSFET因其独特的性能优势,已成为模拟电路与数字电路中不可或缺的元件,广泛应用于消费电子、工业设备、智能手机及便携式数码产品中。其核心优势体现在三个方面:驱动电路设计简化,所需驱动电流远低于BJT,可直接由CMOS或集电极开路TTL电路驱动;开关速度优异,无电荷存储效应,支持高速工作;热稳定性强,无二次击穿风险,高温环境下性能表现更稳定。这些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的场景中表现尤为突出。近年来,随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发
  • 关键字: MOSFET  

内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块被SMA的太阳能系统采用

  • 全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG(以下简称“SMA”)在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台,旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示:“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
  • 关键字: 罗姆  ROHM  SiC MOSFET  功率模块  太阳能  

利用 SMFA 系列非对称 TVS 二极管实现高效 SiC MOSFET 栅极保护

  • 引言碳化硅( SiC)MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展,开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高,设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路,确保对MOSFET的安全控制,防止寄生导通,避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案,有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。 栅极驱动器设计措施关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性,有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导
  • 关键字: 碳化硅  MOSFET  电源  功率半导体  

电源管理小技巧:功率 MOSFET 特性

  • 以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例,这是一款采用 PolarPAK? 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少?阻断电压 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大电压。当驱动感性负载时,这包括施加的电压加上任何感性感应电压。对于感性负载,MOSFET 两端的电压实际上可以是施加电压的两倍。MOSFET 的雪崩特性是什么?这决定了 MOSFET 在雪崩条件下可以承受多少能量。如果超过最大漏源电压并且电流冲
  • 关键字: 电源管理  MOSFET  功率MOSFET  

清纯半导体和微碧半导体推出第3代SiC MOSFET产品

  • 近日,清纯半导体和VBsemi(微碧半导体)分别推出了其第三代碳化硅(SiC)MOSFET产品平台,标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日,清纯半导体官微宣布,推出第3代碳化硅(SiC)MOSFET技术平台,该平台首款主驱芯片(型号:S3M008120BK)的常温导通电阻低至8mΩ,比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm2,处于国际领先水平。source:清纯半导体(图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
  • 关键字: 清纯半导体  微碧半导体  第3代  SiC MOSFET  
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mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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