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全国生猪价格今日猪价行情:4月17日全国生猪价格今

安森美与Kempower就电动汽车充电桩达成战略协议

  • 2023 年 5 月 16 日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),宣布与Kempower达成战略协议,将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管,用于可扩展的电动汽车(EV)充电桩。双方此项合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC产品在内的各种功率半导体技术,开发电动汽车充电方案套件。这些器件将用于有源AC-DC前端以及初级侧和次级侧的DC-DC转换器。  安森美为Kempower 的Satellit
  • 关键字: 安森美  Kempower  充电桩  EliteSiC MOSFET  电动汽车快充  

Nexperia首创交互式数据手册,助力工程师随时随地分析MOSFET行为

  • 奈梅亨,2025-08-04:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册,大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准。通过操作数据手册中的交互式滑块,用户可以手动调整其电路应用的电压、电流、温度和其他条件,并观察器件的工作点如何动态响应这些变化。 这些交互式数据手册使用Nexperia的高级电热模型计算器件的工作点,可有效地为电路仿真器提供一种图形用户界面。此外,工程师借助这些交互式数据手册可以即时查看栅极电压、漏极电流、RDS(o
  • 关键字: Nexperia  交互式数据手册  MOSFET   

MOSFET电路不可不知

  • MOSFET已成为最常用的三端器件,给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET,现在集成电路的设计似乎是不可能的。它们非常小,制造过程非常简单。由于MOSFET的特性,模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路,MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化的基础上推导出来。截止区、三极管区和饱和区是MOSFET的三个工作区。当栅源电压(VGS)小于阈值电压(Vtn)时,器件处于截止区。当MOSFET用作
  • 关键字: 雷卯  MOSFET  

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

  • 碳化硅(SiC)的性能潜力是毋庸置疑的,但设计者必须掌握一个关键的挑战:确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。先进的器件设计都会非常关注导通电阻,将其作为特定技术的主要基准参数。然而,工程师们必须在主要性能指标(如电阻和开关损耗),与实际应用需考虑的其他因素(如足够的可靠性)之间找到适当的平衡。优秀的器件应该允许一定的设计自由度,以便在不对工艺和版图进行重大改变的情况下适应各种工况的需要。然而,关键的性能指标仍然是尽可能低的比电阻,并结合其他重要的参数。图1显示了我们认为必不可少的几个标准,或许还
  • 关键字: 英飞凌  SiC  MOSFET  

功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考

  • 4月24日,东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布,在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体制造工厂的奠基仪式。该工厂是其主要的分立半导体生产基地。施工将分两个阶段进行,第一阶段的生产计划在2024财年内开始。东芝还将在新工厂附近建造一座办公楼,以应对人员的增加。此外,今年2月下旬,日经亚洲报道,东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息,东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节,布局完成后将形成:外延设备+外
  • 关键字: 功率半导体  IGBT  MOSFET  SIC  

优化SiC MOSFET的栅极驱动

  • 在高压开关电源应用中,相较传统的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频(数百千赫兹)开关,但它们不能用于非常高的电压(>1 000 V)。而IGBT 虽然可以在高压下使用,但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美,可实现在高压下的高频开关。然而,SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后,设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
  • 关键字: SiC MOSFET  栅极驱动  安森美  

ROHM开发出超低导通电阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V),这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用,例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作
  • 关键字: ROHM  超低导通电阻  Nch MOSFET  

Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用,对更高效率与更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作,同时维持低导
  • 关键字: Diodes  碳化硅 MOSFET  

基于Infineon S7 MOSFET 主动式电源整流方案

  • 因应日趋严苛的能源效率规范,特别是像server power的应用,从白金效率甚至是钛金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET,提供在静态切换的应用场合,减少功率损耗以提升效率,特别是针对高输出功率的产品设计。S7系列MOSFET应用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系统效率,与传统bridge diode相比,在230Vac输入时在50% load约可提高0.5%,而115Vac输入时在50% load约可提高1%。利用JRC NJ393C OP比较器搭
  • 关键字: Infineon  S7 MOSFET  电源整流  

同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”产品阵容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新产品,非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。近年来,全球电力供应日趋紧张,这就要求设备要更加节能。据了解,电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此,在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路,越来越多地开始采用高效率MOSFET。另一方面,针对使用MOSFET时所产生的噪声,主要通过添加部件和改变
  • 关键字: 超快反向恢复时间  Super Junction MOSFET  MOSFET  

SiC MOSFET的短沟道效应

  • Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂,不如加入自己的理解,重新梳理一遍,希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。Si IGBT/MOSFET与SiC MOSFET,尽
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  

正确选择MOSFET以优化电源效率

  • 优化电源设计以提高效率十分重要。提高效率不仅可以节省能源,减少热量产生,还可以缩小电源尺寸。本文将讨论如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的数量比,以提高电源设计的效率。图 1 显示了一个具有 HS-FET 和 LS-FET 的简化电路。图 1:具有 HS-FET 和 LS-FET 的电路选择 MOSFET 时,如何恰当分配 HS-FET 和 LS-FET 的内阻以获得最佳效率,这对电源工程师来说是一项挑战。 MOSFET的结构和损耗组成MOSFE
  • 关键字: MPS  MOSFET  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”(非常适用于高耐压三相直流电机驱动)和半桥模块“SA110”“SA111”(非常适用于众多高电压应用)两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
  • 关键字: ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工业设备功率模块   

Nexperia首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET),该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装,且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化,可在175°C下工作,适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识,Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE(100 V,2.3 m N沟道ASFET)作为其产品组合中的首选,
  • 关键字: Nexperia  SMD  铜夹片  LFPAK88  MOSFET  

[向宽禁带演进]:您能跟上宽禁带测试要求的步伐吗?

  • _____碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面,这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性,而这些局限性源自其是一种窄禁带材料,所以会引发不良的导电性泄漏,且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率,相当于半导体运行失效。在这两种宽禁带材料中,GaN主要适合中低档功率实现方案,大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明中的应用,而且在汽车
  • 关键字: MOSFET  IGBT  
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mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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