上海探索气象风险预警 助力精细化城市治理
~符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种封装10种型号的新产品已经开始销售，未来会继续扩大产品阵容。在汽车领域，随着安全性和便捷性的提高，电子产品逐渐增加，使得所安装的电子元器件数量也
关键字：
ROHM Nch MOSFET 汽车车门 座椅 电机 LED前照灯
半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现，搜索出来的基本上是绝缘栅场效应管。即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经被人类抛弃了的感觉，没错，JFE
关键字：
三极管 MOSFET JFET
随着社会经济发展、能源结构变革，近几年全球对家用储能系统的需求量一直保持相当程度的增长。2023年，全球家用储能系统市场销售额达到了87.4亿美元，预计2029年将达到498.6亿美元，年复合增长率（CAGR）为33.68%（2023-2029）；便携储能市场经过了一轮爆发式增长的狂欢后，现在也迎来了稳定增长期，从未来看，预计在2027年便携储能市场将达到900亿元；AI
Server市场规模持续增长，带来了数字化、智能化服务器所需的高功率服务器电源的需求，现在单机3KW的Power也成为了标配。对于
关键字：
Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 双向图腾柱 PFC 数字电源
JFET 与 MOSFET的区别JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场。JFET 与 MOSFET的区别两者之间的下一个关键区别是，JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小，因为后者嵌入了绝缘体，因此漏电流更少。JFET?通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具，具有低漏极电阻，而?MOSFET?通常被称为“OFF 器件”，
关键字：
结型场效应管 jfet MOSFET 电路设计
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子?(Mouser Electronics)?即日起开售英飞凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。贸泽供货的英飞凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-A
关键字：
贸泽 英飞凌 CoolSiC G2 MOSFET
OptiMOS? 7 40V 车规MOSFET概况采用OptiMOS? 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。如下图所示，英飞凌40V MOSFET不同代际产品在比导通电阻的演进。英飞凌40V MOSFET比导通电阻代际演进英飞凌OptiMOS?
7
技术是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能
关键字：
OptiMOS MOSFET 英飞凌
在本文中，我们使用90nm CMOS的SPICE模型来绘制NMOS晶体管的关键电学关系。在前一篇文章中，我解释了如何获得集成电路MOSFET的高级SPICE模型，并将其纳入LTspice仿真中。然后，我们使用这个模型来研究NMOS晶体管的阈值电压。在本文中，我们将使用相同的模型来生成直观地传达晶体管电气行为的图。绘制漏极电流与漏极电压我们将从生成漏极电流（ID）与漏极-源极电压（VDS）的基本图开始。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中VDD的值逐渐增加。图1显示了
关键字：
LTspice MOSFET NMOS
英飞凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。这些元件采
关键字：
英飞凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 电源应用
6月23日，瞻芯电子宣布，公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。同时，瞻芯电子第三代1200V SiC
MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级SiC晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。瞻芯电子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。瞻芯电子表示，第三代1200V 13
关键字：
瞻芯电子 SiC MOSFET 车规认证
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC??MOS
关键字：
英飞凌 CoolSiC MOSFET AI服务器电源
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S7T）取得的进步基础上，显著提高了结温传感的精度，因此具有诸如更高的耐用性、安全性和效率等对于汽车领域至关重要的优势。与同系列中的工业级产品一样，车规级CoolMOS? S7TA?尤其适合固态继电器（SSR）应用。它具有出色的RDS(on)?
关键字：
英飞凌 温度传感器 CoolMOS MOSFET
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。图 SiC/Si器件效率对比一、行业典型应用碳化硅MOSFET的主要应用领域包括：充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能
关键字：
SiC MOS 碳化硅 MOSFET
英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET产品组合，在40 V?产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS? 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车（LEV）、电动二轮车、电动踏板车、电动摩
关键字：
英飞凌科技 汽车应用 OptiMOS? 7 MOSFET
为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全适合这些文章，但如果我们的主要目标是准确模拟集成电路MOSFET的电学行为，那么结合一些外部SPICE模型是有意义的。在本文中，我将介绍下载用于IC设计的高级SPICE模型并在LTspice原理图中使用它们的过程。然后，我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进
关键字：
CMOS，MOSFET 晶体管，Spice模型
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升，本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX) = 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型V
关键字：
SiC MOSFET RSP
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473