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美国商务部正在考虑撤销此前授予台积电、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的许可证——这一举措可能为它们在中国的运营制造新的障碍，据路透社报道。

引自华尔街日报，Wccftech 指出，工业与安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推动结束允许美国芯片设备制造商向这些公司中国工厂出售关键工具的豁免。报道补充说，这可能导致它们获取美国制造设备的规定更加严格。

根据 Tom's Hardware，该审查针对的是在美国于 2022 年底限制向中国出口芯片制造工具后授予非中国芯片制造商的特殊贸易豁免，称为 VEU 授权。报告指出，这些豁免允许他们在没有许可证的情况下为其在中国的晶圆厂进口美国设备，只要他们避免向中国的军事或情报部门供应。

根据 Tom's Hardware 的说法，VEU 还简化了美国芯片制造工具公司（包括但不限于 Applied Materials、KLA 和 Lam Research）向中国客户发货的流程。

值得注意的是，一位白宫官员告诉路透社，此举是为了应对当前与中国的贸易休战破裂时最坏情况的预防措施。尽管如此， 经济日报警告说，这些公司的审批流程可能会从自动审批转变为冗长的逐案审查，每份申请需要三到六个月的时间。

如果该政策生效，它将如何影响台积电、三星和 SK 海力士等芯片巨头？以下是 TrendForce 整理的它们在中国基于的生产能力和关键工艺节点的快照：

台积电南京：成熟节点导向

根据台积电的说法，中国是其在 2024 年的第二大市场，占其总收入的比例为 11%，远低于北美的 70%。

在其 2024 年年度报告中，台积电表示其位于南京的 12 英寸晶圆厂在永久有效的验证最终用户（VEU）授权下运营，允许其无需单独许可证即可进口符合条件的美国设备。然而，它也提到，无法保证台积电获得的 VEU 授权不会在未来被终止。

值得注意的是，台积电的南京工厂，生产 16nm 和 28nm 芯片，是其最赚钱的海外工厂，根据其 2024 年报告，该工厂每年带来 690 亿新台币的收入和 260 亿新台币的净利润。同时，其上海 8 英寸工厂运行着更旧的 1.3μm 和 1.8μm 工艺节点，根据经济日报报道，它不太容易受到拟议的许可证吊销的影响。

三星西安：关键的 NAND 制造中心

另一方面，中国对韩国内存巨头至关重要。就三星而言，其西安工厂是主要的 NAND 生产中心。根据 TrendForce 的数据，预计到 2025 年，三星总 NAND 产量的 30-35%将来自中国。

2 月的《韩国商业》报道说，三星正在加速其中国的 NAND 技术升级，推动其西安工厂向尖端的 286 层（V9）工艺发展，以应对市场放缓和中国竞争对手日益激烈的竞争。据报道，自 2023 年以来，它已从 128 层（V6）NAND 转向西安更先进的 236 层（V8）NAND。

因此，据经济日报报道，撤销像三星这样的主要制造商的豁免权，并转向个案审查，可能会阻止需要用于关键升级的设备进口。

SK hynix：DRAM 和 NAND 产出高度依赖中国

与此同时，根据商业韩国的报道，SK hynix 在中国的足迹涵盖多个地点：无锡的 DRAM 工厂、重庆的封装工厂以及在大连的 NAND 闪存设施，该设施是从英特尔收购 Solidigm 品牌后接管过来的。

TrendForce 预测，到 2025 年，SK 海力士的 DRAM 产量中约有 35-40%将来自中国。对于 SK 海力士来说，中国在全球 NAND 生产中扮演着更大的角色，预计到 2025 年将占其总 NAND 产量的 40-45%，TrendForce 指出。

据经济日报报道，美国取消关键设备豁免政策可能会使 SK 海力的中国晶圆厂更难进口 EUV 光刻机，从而可能延迟其升级计划。