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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ，广泛适用于车载充电器（OBC）、 DC-DC转换器、电动汽车（xEV）辅助设备等应用，以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源（SMPS）等工业应用。
凭借4 mΩ和7 mΩ的超低导通电阻，MOSFET在静态开关应用中拥有出色的表现，并成为eFuse、高压电池关断开关、固态断路器和固态继电器等应用的理想选择。英飞凌创新的Q-DPAK顶部散热式封装专为提供领先的热性能和可靠性设计， R DS(on) 值低至4 mΩ，实现行业内最佳规格。
该技术还具有领先的R DS(on) x Q OSS 和更佳的R DS(on) x Q fr，可减少硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，在硬开关应用场景中效率尤为出色。由于栅极电荷减少，该技术可实现更快的开关速度并降低栅极驱动损耗，提高了在高频率应用中的效率。
此外，CoolSiC? MOSFET 750 V G2在25°C时具有高电压阈值（V GS(th),typ 为4.5 V）和超低Q GD/Q GS 比，进一步提高了对寄生导通（PTO）的抗扰性。该技术还支持栅极驱动能力扩展，可承受最高-7 V的静态栅极电压及最高-11 V的瞬态栅极电压。这一更高的电压耐受性为工程师提供了更大的设计余量，保证了与市场上其他产品更高的兼容性。
CoolSiC? 750 V G2具有出色的开关性能、极佳的易用性和优异的可靠性，并且完全符合AEC Q101车规级部件标准和JEDEC工业级部件标准。该技术通过实现更加高效、紧凑和经济的设计，满足了日益增长的市场需求，展现了英飞凌在安全关键型汽车应用可靠性和耐用性上的投入。
供货情况
英飞凌的CoolSiC? MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 mΩ样品现已开放订购。
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