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拓墣产业研究院最新报告指出，第三代半导体产业竞争日益激烈，氮化镓（GaN）功率元件凭借其高频、高功率特性，在5G/6G基地台、航空航天、AI运算等应用领域快速崛起。

拓墣预估，2025年全球GaN功率半导体市场规模将达7.5亿美元，年增率高达62.7%，至2030年将扩大至43.8亿美元，年复合成长率（CAGR）达42.3%。

GaN组件具备优异电性能与高可靠性，除了主流通讯以及工业应用外，也加速渗透至智慧城市、无线充电与医疗设备等新兴场景。

随中国大陆等地积极推动产业自主，全球GaN供应链本土化进程加速，各国力图建立从材料、晶圆制造到封装测试的完整在地产业链，以降低对外依赖。

能源转型与AI技术逐步演进，GaN不再只是碳化硅（SiC）的补充材料，而是逐步取代其在中压、高频功率领域的角色。

产业策略亦由过往的「技术推动」转为「应用驱动」，厂商积极与系统整合商协作，共同开发电源模块与封装方案，打通产品与终端应用间的界线，扩展商业规模与利润潜能。

拓墣指出，未来三至五年全球数据运算密度与功耗需求将急速上升，GaN因具备技术成熟度与垂直整合优势，将在中低压、高频应用领域发挥关键作用。

相较于SiC，GaN展现出更高的灵活性与扩展性，将成为2025年跨入主流应用的转折点。

GaN产业发展将聚焦三大方向：一是技术创新，包括垂直GaN组件、高电压承受力与300mm晶圆制程，并导入双面散热、嵌入式等先进封装技术，以提升性能并降低成本。

二是应用拓展，涵盖再生能源、工业马达、太空应用、V2G双向充电等新兴领域; 三是推动永续，GaN的高能效转换特性有助全球节能减碳，符合净零碳排目标。

拓墣认为，掌握GaN技术，并实现商业化的企业，将于未来半导体产业变局中占据领先优势，成为全球能源转型与智慧科技发展的核心。