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严格的等级制度和规避风险的文化正在推动韩国芯片巨头
悄然外流在三星电子监督 DRAM 工艺十年后，一位名叫 A 的 43 岁工程师于 2023 年接受了 SK 海力士的工作。最让他惊讶的不是技术工作，而是从他所谓的“伪造报道文化”中解放出来。在三星，跨部门项目经常暴露工艺或设计方面的缺陷，但这些缺陷通常被淡化以避免内部指责。“每个人都知道这场比赛，”他说。“尽量减少问题，否则你的团队会被烧毁。”
工程师B从顶尖工程大学毕业后加入三星，在公司工作了八年，他也表达了同样的观点。他预计韩国领先的芯片制造商之间几乎没有什么区别，但发现 SK 海力士的运作模式完全不同：自下而上的决策和公开的内部竞争。“在三星，对任何新提案的第一反应是，'如果失败了，你会承担责任吗？'“仅此一项就扼杀了创新。”
随着三星在存储芯片领域的主导地位减弱，尤其是在高带宽内存 （HBM） 和 DRAM 领域，行业分析师表示，顶尖工程人才的流失正在加速一场更深层次的危机。C 现年 51 岁，在三星设计 DRAM 工艺近 20 年，现在领导 SK 海力士的第六代 （1c） 10nm 级 DRAM 开发。他说，近年来三星与 SK 海力士的合作激增。“这不仅仅是薪水的问题，”他说。“这是关于僵化的等级制度、表演性政治和阻止风险的人力资源系统。”

图形：Chung Seo-hee

在人工智能时代记忆主导地位的竞赛中，内部创新的退缩越来越明显。B 表示，SK 海力士鼓励团队之间的竞争，推动竞争对手的封装技术（例如 MR-MUF 和混合键合），然后根据性能和成本进行选择。他说，在三星，主要关注的是如果出现故障，谁会受到指责。
赌注很高。SK海力士的内部竞争取得了突破：工程师们曾经认为MR-MUF无法扩展到16层以上。但通过内部迭代，该公司将其扩展到 20 层，从而显着提高了效率。B 将这种方法与台积电的方法进行了比较：“将现有工具推向边缘，以降低成本并在性能上领先。
相比之下，在三星，规避风险的心态仍然存在。“当第一个问题是'你能保证它会奏效吗？'你就不会得到新的想法，”B 说。
随着下一代HBM4集成了逻辑芯片（需要先进的代工工艺），SK海力士已开始招聘三星的FinFET工程师。自 2024 年以来，小团队已经跳跃，一次两到三个。

43 岁的前铸造工程师 Son Min-gyun

D 的图形表示，长期亏损、产能利用率低以及对分拆的猜测是他离职的因素。他还指出，三星著名的内存部门与其代工业务之间存在士气分歧。
现任职于SK海力士的高级研究员E将矛头对准了三星的“血脉心态”。“除非你通过这个系统上来，否则几乎不可能在内存部门达到领导地位，”他说。
相比之下，SK 海力士无论血统如何，都会奖励绩效，不仅让三星资深人士，还让鲜为人知的软件专业人士担任关键角色。这种开放性已经取得了成果。曾经在NAND闪存技术上落后，SK海力士已经缩小了差距。最近的高利润产品现在与三星和美光的产品相当或超过。
关键员工发挥了作用。崔正达曾在SK海力士领导全球首款321层NAND的开发，他是三星前高管，也是三星“骄傲三星奖”的获得者。他的前任郑泰成在加入SK海力士之前也在三星工作了二十年。
专家表示，三星的问题不在于技术，而在于结构。“这是一个管理至上的组织，”西江大学商学院教授金永镇说。“工程决策是通过财务指标过滤的。如果领导层不重置系统，三星的半导体优势可能会继续受到侵蚀。