万旗“找就到”产品获得成都市成华区领导关注及赞赏
据供应链透露，台积电在美国的首座先进封装厂计划浮出水面，预计将于明年下半年动工。这座工厂将专注于SoIC（系统整合单芯片）和CoW（芯片堆叠于晶圆上）技术，而后段oS（基板上封装）部分则可能委托Amkor完成。台积电的美国先进封装厂选址在亚利桑那州，与正在建设中的P3晶圆厂相连，未来将率先导入SoIC技术。在AI需求的强劲推动下，台积电正加大对美国的投资力度，总投资额高达1650亿美元，涵盖6座先进制程厂、2座先进封装厂和1座研发中心。目前，首座晶圆代工厂已正式量产，良率与台积电在中国台湾的工厂相当。AM
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台积电 美国 先进封装厂 SoIC CoW
11月28日消息，据报道，台积电（TSMC）在其欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，正在按计划对其超大版本的CoWoS封装技术进行认证。此项革新性技术核心亮点在于，它能够支持多达9个光罩尺寸（Reticle Size）的中介层集成，并配备12个高性能的HBM4内存堆栈，专为满足最严苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封装技术的实现之路并非坦途。具体而言，即便是5.5个光罩尺寸的配置，也需仰赖超过100
x 100毫米的基板面积，这一尺寸已逼近OAM 2.0标准尺寸的上限（102 x
165m
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台积电 新CoWoS 封装技术 手掌大小 高端芯片 SoIC
随着IC设计业者透过增加芯片尺寸提高处理能力，考验芯片制造实力。英伟达达AI芯片Blackwell，被CEO黄仁勋誉为「非常非常大的GPU」，而确实也是目前业界面积最大的GPU，由两颗Blackwell芯片拼接而成，并采用台积电4纳米制程，拥有2,080亿个晶体管，然而难免遇到封装方式过于复杂之问题。CoWoS-L封装技术，使用LSI（本地硅互连）桥接RDL（硅中介层）连接晶粒，传输速度可达10／TBs左右；不过封装步骤由于桥接放置精度要求极高，稍有缺陷都可能导致价值4万美元的芯片报废，从而影响良率及获利
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台积电2纳米先进制程及3D先进封装同获苹果大单！业者传出，台积电2纳米制程传本周试产，苹果将拿下2025年首波产能外，下世代3D先进封装平台SoIC（系统整合芯片）也规划于M5芯片导入该封装技术并展开量产，2026年预定SoIC产能将出现数倍以上成长。 半导体业者指出，随SoC（系统单芯片）愈做愈大，未来12吋晶圆恐仅能摆一颗芯片也不为过，但这对晶圆代工厂良率及产能均是极大挑战；因此，以台积电为首等生态系加速研发SoIC，希望透过立体堆栈芯片技术，满足SoC所需晶体管数量、接口数、传输质量及速度等要求，并
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《科创板日报》15日讯，台积电2nm制程传出将在本周试产，苹果将拿下2025年首波产能外，下世代3D先进封装平台SoIC（系统整合芯片）也规划于M5芯片导入并展开量产，2026年预计SoIC产能将出现数倍以上成长。 (台湾工商时报)
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7 月 4 日消息，根据经济日报报道，在 AMD 之后，苹果公司在 SoIC 封装方案上已经扩大和台积电的合作，预估在2025 年使用该技术。台积电正在积极提高 CoWoS 封装产能的同时，也在积极推动下一代 SoIC 封装方案落地投产。AMD 是台积电 SoIC 的首发客户，旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封装解决方案，可将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质整合，目前在位于竹南的第五座封测厂 AP6 生产。台积电目前已经整合封装工艺构建 3D Fabric 系统，其中分为 3
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IT之家 7 月 31 日消息，据台媒 MoneyDJ 援引业界消息称，继 AMD 后，苹果正小量试产最新的 3D 堆叠技术 SoIC（系统整合芯片），目前规划采用 SoIC 搭配 InFO 的封装方案，预计用在 MacBook，最快 2025~2026 年间有机会看到终端产品问世。据IT之家了解，台积电 SoIC 是业界第一个高密度 3D 堆叠技术，通过 Chip on Wafer（CoW）封装技术，可以将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质整合，并于竹南六厂（AP6）进入量产。其中，AMD 是
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ANSYS针对台积电 （TSMC） 创新系统整合晶片 （TSMC-SoIC） 先进3D晶片堆叠技术开发的解决方案已获台积电认证。SoIC是一种运用Through Silicon Via （TSV） 和chip-on-wafer接合制程，针对多晶粒堆叠系统层级整合的先进互连技术，对高度复杂、要求严苛的云端和资料中心应用而言，能提供更高的电源效率和效能。
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世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速读/写性能、低电压运行，以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存储器，工作电压为2.7V至3.6V，采用8脚SOIC封装，使用二线制 (I2C) 协议;并提供快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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Ramtron F-RAM 非易失性存储器 NoDelay SOIC
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通常所用的数据采集系统，其采样对象都为大信号，即有用信号幅值大于噪声信号，但在一些特殊场合采集的信号很微弱，并淹没在大量的随机噪声中。此种情况下，一般的采集系统和测量方法无法检测该信号，本采集系统硬件电路针对微弱小信号，优化设计前端调理电路，利用仪表放大器有效抑制共模信号，保证采集数据的精度要求。
磁阻传感器是感知磁性物体的存在或者磁性强度(在有效范围内)的敏感元件。这些磁性物体除永磁体外，还包括顺磁材料，也可感知通电线圈或导线周围的磁场。本文选用霍尼韦尔磁阻传感器HMC1002
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传感器 磁阻效应 数据采集 SOIC
soic介绍
小外型封装集成电路，小型外贴脚集成电路器
SOIC
small outline integrated circuit
指双排引脚之小型表面黏装IC，有鸥翼脚及 J型脚两种。SOP 的别称，国外有许多半导体厂家采用此名称。
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