1938年属什么
实现更高的雷达精度需要多个雷达节点协同工作，这给在节点之间长距离一致地分配共享本振 （LO） 信号而不会产生干扰或衰减带来了重大挑战。研究公司和创新中心 IMEC 最近解决了这一挑战，在光纤通信会议和展览会 （OFC） 上推出了所谓的开创性概念验证，即支持光子学的码分复用 （CDM） 调频连续波 （FMCW） 144 GHz 分布式雷达系统。Imec 的光子 CDM FMCW 144-GHz 分布式雷达系统可能会改变下一代高级驾驶辅助系统 （ADAS） 和高精度传感应用，满足
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Imec ADAS 分布式雷达
自ASML官网获悉，当地时间3月11日，ASML宣布同比利时微电子研究中心（imec）签署新的战略合作伙伴协议，重点关注半导体研究与可持续创新。据悉，该协议为期五年，旨在开发推动半导体行业发展的解决方案，并制定以可持续创新为重点的计划。此次合作涵盖了阿斯麦的全部产品组合，这些设备将导入由imec牵头建设的后2nm制程前沿节点SoC中试线NanoIC，研发的重点领域还将包括硅光子学、存储器和先进封装，为未来基于半导体的人工智能应用在不同市场提供全栈创新。
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ASML IMEC 芯片制程 2nm
这不是末日灾难电影的场景，而是来自1984年的一手记述（诚挚为你的手笔）。当时，现代的通讯技术正要兴起，埃塞俄比亚在努力应对人权危机，而导致艾滋病（AIDS）的人类免疫缺乏病毒（HIV）持续在全球遍布恐惧。我们已经摆脱这些挑战了吗？ 很不幸，答案没那么简单。举例来说，虽然用来对抗流行病的药物已经达到史无前例的完善程度，但最近的历史提醒着我们一种病毒能对我们的社会造成多么深刻的破坏。人类的希望—嵌入一粒沙我们已经摆脱这些挑战了吗？ 很不幸，答案没那么简单。举例来说，虽然用来对抗流行病的药物已经达到史无前例的
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imec 半导体
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
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imec High-NA EUV DRAM
1984年1月，比利时正在紧锣密鼓的筹备一件重大活动，于1月16日正式成立比利时微电子研究中心（imec）。成立之初，imec雇用了70名人员。当时几乎没人想到imec会在接下来的40年发展为广纳全球5500名雇员的研究泰斗。
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小芯片 imec
于本周举行的2024年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium）上，比利时微电子研究中心（imec）首次展示了具备电性功能的CMOS互补式场效晶体管（CFET）组件，该组件包含采用垂直堆栈技术形成的底层与顶层源极／汲极金属接点（contact）。虽然此次研究的成果都在晶圆正面进行接点图形化，不过imec也展示了改从晶圆背面处理接点图形的可行性—这能大幅提升顶层组件的存活率，将其从11%提升到79%。 CMOS互补式场效晶体管（CFET）组件搭配中间介电层（MDI）以及
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imec 单片式 CFET 功能组件 垂直堆栈金属接点
于本周举行的国际电机电子工程师学会（IEEE）射频集成电路国际会议（RFIC Symposium）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了一款基于CMOS技术的先进波束成形发射机，用来满足D频段的无线传输应用。该发射器具备优异的输出功率及能源效率，同时支持每通道56Gb/s的超高数据传输率。该组件也是比利时微电子研究中心（imec）研究人员目前正在开发的四路波束成形收发机芯片之核心构件。运用这项技术，他们希望可以协助部署新一代100GHz以上的高频短距无线传输服务。 imec先进CMOS波束成
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imec 波束成形 发射机 高功率 零中频 D频段传输
比利时微电子研究中心(imec)于本周举行的2024年全球技术论坛（ITF World 2024)，宣布即将推出纳米芯片（NanoIC）试验制程。鉴于欧盟《芯片法案》的发展愿景，该试验制程致力于加速创新、驱动经济成长，并强化欧洲半导体生态系。此纳米芯片试验制程聚焦开发2纳米以下的系统单芯片，将为欧洲汽车、电信、健康卫生等各大产业提供支持，以利用最新的芯片创新设计来开发经得起未来考验的产品。imec现有的试验制造厂区已建立了数十年，该试验制程将作为其扩建的厂房。政府及民间单位预计将注入高达25亿欧元的共同投
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imec 欧洲芯片法 2纳米
能量产率模型（Energy Yield Model）由欧洲绿能研究组织EnergyVille成员—比利时微电子研究中心（imec）和比利时哈瑟尔特大学（UHasselt）所开发，该模型利用由下而上（bottom-up）设计方法，精准巧妙地结合太阳能板的光学、温度及电气动力学，正在为太阳能预测带来全新气象。在追求永续能源方面，太阳能扮演着关键角色，然而，太阳能具备难以预测的特性，挑战了准确预测能量（和财务）产率的实现。比利时微电子研究中心（imec）和比利时哈瑟尔特大学（UHasselt），透过他们在欧洲绿
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量产率模型 太阳能 imec
l 随着芯片制造商向3nm及以下节点迈进，后段模块处理迎来挑战l 半大马士革集成方案中引入空气间隙结构可能有助于缩短电阻电容的延迟时间 随着器件微缩至3nm及以下节点，后段模块处理迎来许多新的挑战，这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案。 在3nm节点，最先进的铜金属化将被低电阻、无需阻挡层的钌基后段金属化所取代。这种向钌金属化的转变带来减成图形化这一新的选择。这个方法也被称为“半大马士革集成”，结合了最小间距互连的减成图形化与通孔结构的传统大马士革。
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半大马士革 空气间隙结构 泛林 imec
比利时微电子研究中心（imec）的研究人员，推出为超音波成像应用所开发的创新第二代压电式微机械超音波换能器（PMUT）数组。该数组具备一层氮化铝钪（AlScN）压电层，在水中实现优异的影像撷取，波束控制深度达到10cm。此次取得的技术突破为曲面感测、革命性医疗成像及监测这类复杂的超音波应用提供了发展条件。近期imec携手其衍生新创Pulsify Medical，一同推动心脏监测技术朝向非侵入式且无需医师操作的方向发展。超音波成像的技术进展在非侵入性的情况下，透过超音波成像来呈现腹中胎儿影像的声波应用广为人
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超音波 感测 医疗成像 imec
近日，比利时微电子研究中心(IMEC)发表1纳米以下制程蓝图，分享对应晶体管架构研究和开发计划。外媒报导，IMEC制程蓝图显示，FinFET晶体管将于3纳米到达尽头，然后过渡到Gate All Around(GAA)技术，预计2024年进入量产，之后还有FSFET和CFET等技术。△Source：IMEC随着时间发展，转移到更小的制程节点会越来越贵，原有的单芯片设计方案让位给小芯片(Chiplet)设计。IMEC的制程发展愿景，包括芯片分解至更小，将缓存和存储器分成不同的晶体管单元，然后以3D排列堆叠至其
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IMEC 1nm 制程 FinFET
此篇访谈中，比利时微电子研究中心（imec）先进图形化制程与材料研究计划的高级研发SVP Steven Scheer以近期及长期发展的观点，聚焦图形化技术所面临的研发挑战与创新。本篇访谈内容，主要讲述这些技术成果的背后动力，包含高数值孔径（high NA）极紫外光（EUV）微影技术的进展、新兴内存与逻辑组件的概念兴起，以及减少芯片制造对环境影响的需求。怎么看待微影图形化这块领域在未来2年的发展？Steven Scheer表示：「2019年，极紫外光（EUV）微影技术在先进逻辑晶圆厂进入量产，如今动态随机存
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imec 微影图形化
自1990年代中期，铜（Cu）一直用于后段制程，作为内连导线（interconnect）与通孔（via）的主流金属材料。这些年来，铜材在双镶嵌整合制程上展现了长年不败的优良导电性与可靠度，因此过去认为在芯片导线应用上无需替换这位常胜军。但随着技术世代演进，局部导线层持续微缩，关键组件层的线宽降至10nm以下。偏偏在这样的小尺寸下，铜材的电阻会急遽增加，进而影响电路的整体性能。铜世代告终？此外，铜材需要阻障层（barrier）、衬垫层（liner）与覆盖层（cap layer）才能维持良好的可靠度；这些外加
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埃米 导线材料 金属化合物 imec
imec介绍
IMEC,全称为Interuniversity Microelectronics Centre, 微电子研究中心.
IMEC成立于1984年，目前是欧洲领先的独立研究中心，研究方向主要集中在微电子，纳米技术，辅助设计方法，以及信息通讯系统技术（ICT）. IMEC 致力于集成信息通讯系统设计；硅加工工艺；硅制程技术和元件整合；纳米技术，微系统，元件及封装；太阳能电池；以及微电子领域的高级培训 [
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