产业丨棋牌游戏未来走向：是昙花一现还是持续深入？
- 近日，国新办就2023年10月份国民经济运行情况举行发布会。会上，有记者提出“从高频数据看，发现10月份部分高耗能产业的开工率同比增速有所下降，请问工业生产整体有哪些特点？原因有哪些？后续政策发力作用下，四季度整体形势如何？”的问题。国家统计局新闻发言人、总经济师、国民经济综合统计司司长刘爱华表示，10月份，随着市场需求逐步恢复，新旧动能加快转换，工业生产总体上呈现稳中有升的态势。10月份，规模以上工业增加值同比增长4.6%，累计增长4.1%，当月和累计同比增速都比上期加快0.1个百分点。今年以来，累计增
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半导体器件 专用设备 制造
- 自从宽带隙材料被引入各种制造技术以来，通过使用MOSFET、晶闸管和 SCR等功率半导体器件就可以实现高效率。为了优化可控制造技术，可以使用特定的导通电阻来控制系统中的大部分功率器件。对于功率 MOSFET，导通电阻仍然是优化和掺杂其单元设计的关键参数。电导率的主要行业标准是材料技术中的特定导通电阻与击穿电压（R sp与 V BD ）。自从宽带隙材料被引入各种制造技术以来，通过使用MOSFET、晶闸管和 SCR等功率半导体器件就可以实现高效率。为了优化可控制造技术，可以使用特定的导通电阻来控制系统中的大部
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半导体器件
- 科技日报北京9月21日电 （记者张梦然）韩国科学技术研究院（KIST）神经形态工程中心研究团队宣布开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件，解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然·通讯》杂志上。模仿人脑的神经拟态计算系统技术应运而生，克服了现有冯诺依曼计算方法功耗过大的局限。实现使用大脑信息传输方法的半导体器件需要一种能表达各种突触连接强度的高性能模拟人工突触装置。当神经元产生尖峰信号时，这种方法使用神经元之间传输的信号。
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人工突触 半导体器件
- 工商信息显示，华为旗下哈勃科技投资有限公司近日再新增一家对外投资——苏州东微半导体有限公司（以下简称“东微半导体”）。东微半导体成立于2008年，注册资本4578.22万元，经营范围包括半导体器件、集成电路、芯片、半导体耗材、电子产品的设计、开发、销售、进出口业务及相关技术咨询和技术服务等，拥有多项功率半导体核心专利，核心产品为中低高压功率器件。其官网显示，2013年下半年，东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表，标志着首次国内科学家在半导体核心技术方向获得的重大突破。2016年东微
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华为，半导体器件
- 据外媒报道，英国卡迪夫大学（Cardiff University）的研究人员首次发现，一种普通半导体材料的表面具有以前从未被发现的“不稳定性”。该发现可能对为日常生活提供能量的电子设备材料的未来发展产生深远影响。从智能手机、GPS到卫星和笔记本电脑，复合半导体是此类电子设备不可或缺的一部分。
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砷化镓 电子产品 半导体器件
- 来自美国国际贸易委员会官网的消息称，2025-08-04，美国国际贸易委员会(ITC)投票决定对特定半导体器件、集成电路和包含该器件的消费产品启动337调查(调查编码：337-TA-1149)。值得一提的是，涉案的中国企业包括OPPO、vivo、一加、步步高、TCL、海信、联发科和晨星等，同时美国高通和台积电在美分公司也被列为被告之一。 2025-08-04，美国Innovative Foundry Technologies
LLC向美国ITC提出337立案调查申请，主张对美出口、在美进口和在美
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半导体器件 OPPO vivo
- 普通二极管的检测 （包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用
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- 静电可被定义为物质表面累积的静态电荷或静态电荷之间交互作用累积的电荷。电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是电子行业面临的重大挑战之一。通常来说，半导体行业中超过三分之一的现场故障都是由ESD引起的。ESD导致的
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半导体器件 电气过应力 静电放电 故障
- (1)二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路。其中以击穿短路居多。此外，还有两种损坏表现一是热稳定性变差，表现为开机时正常、工作一段时间后。发生软击穿另一种是PN结的特性变差，用万用表Rx1K测，各PN结均正常，但上机后不能正常工作如果用RX10或RX1低量程挡测就会发现其NN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量，较准确的方法是将万用表置RX10或Rx1挡(一般用RX10挡，不明显时再用Rx1挡〕在线测二、三极管的PN结正、反向电阻。如果正向电阻不太大《相对正常值〕反向电阻足够
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- 最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。
功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业机械、铁路车辆、输配电装置、光伏和风电系统等，掌握着节能的关键。
三菱电机半导体器件第一事业部营业战略课长山田正典说“用人体打比方的话，个人店的CPU(中央运算处理装置)和存储器是控制运算和记忆的大脑，而功率半导体则相当于肌肉。”
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功率半导体 半导体器件
- 随着IGBT技术的发展，IGBT已经从工业扩展到消费电子应用，成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件;而在中国市场，轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGBT应用市场。
据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。2011年IGBT销售额将达到8.59亿美元，2015年有望达到13亿美
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IGBT 半导体器件 太阳能
- 中国北车集团日前在西安对外发布：大功率IGBT芯片(绝缘栅双极型晶体管)通过专家鉴定并投入批量生产。中国自此有了完全自主产权的大功率IGBT“中国芯”。
据介绍，作为新一代半导体器件，IGBT是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。此前，国内高端IGBT芯片基本依赖进口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不仅可以为我国高铁、动车组等轨道交通装备及其他相关行业提供强劲的“中国芯
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半导体器件 IGBT
- led电路知识,LED是英文单词Light Emitting Diode的缩写，意思为发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯
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- 在过去的20多年，出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块，在如功率MOS-FET，绝缘栅双极晶体管IGBT，碳化硅（S...
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开关电源 功率 半导体器件
- 除了用传统的气体放电管、金属氧化物变阻器（MOV）以及保险丝来保护电路板上的电子元件免受外界的侵袭以外，...
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半导体器件介绍
用半导体材料制成的具有一定功能的器件，统称半导体器件。为了与集成电路相区另，有时也称为分立器件。半导体器件主要有二端器件和三端器件两大类。绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波 [
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