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- 在本文中，我们将了解D类功率放大器的两个重要非理想性以及它们如何影响性能。正如我们从之前的文章中所知，实际D类放大器的开关频率并不总是与其谐振频率相匹配。这种失配可能是由于组件非理想性或放大器在略微不同的频率下有意操作造成的。在这两种情况下，失谐LC电路都会产生无功负载。在本文中，我们将研究当D类放大器的负载网络具有电抗性组件时，其性能是如何受到影响的。我们还将探讨调谐电路输入端寄生电容的影响。对每个非理想性的讨论将以一个示例问题结束。无功负载引起的功率损失图1显示了我们在过去几篇文章中一直在探索的互补电
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D类放大器，无功负载，寄生电容
- 减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间材料层的有效介电常数，这可以通过在该位置的介电材料中引入空气间隙来实现。这种类型的方式过去已经用于后道工序 (BEOL) 中，以减少金属互连之间的电容[1-4]。本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一个虚拟的制造软件平台，可以在设定的半导体工艺流程内模拟工艺变量。利用SE
- 关键字：
空气间隙 前道工序 寄生电容
- 摘? 要：本文研究了P型保护环对双向可控硅（DDSCR）静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备
了不带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR）和带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在
高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅（HVDDSCR）和带保护环的高压双向可控硅（HVDDSCR_
GR）器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性，同时利用传输线脉冲（TLP）测试仪
分析了它们的静电性能。结果表明，保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响，但在1?
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202206 双向可控硅 保护环 寄生电容 传输线脉冲测试系统
- 摘要：高速成像应用中，CCD的输出通道数较多，且每个通道的速度也很高。多通道输出需要多个放大器对信号进行放大。当放大器数量较多时，电路板布局时很难使放大器靠近CCD放置。较长的电路板走线产生的寄生电容和CCD输
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高速CCD 预放电路 寄生电容 高频补偿
- 直角走线一般是PCB布线中要求尽量避免的情况，也几乎成为衡量布线好坏的标准之一，那么直角走线究竟会对信号传输产生多大的影响呢？从原理上说，直角走线会使传输线的线宽发生变化，造成阻抗的不连续。其实不光是直角走线，顿角，锐角走线都可能会造成阻抗变化的情况。
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PCBLayout PCB 直角走线 EMI 寄生电容
- 在数字通信系统中，随着PCB布线密 度，布线层数和传输信号速率的不断增加，信号完整性的问题变得越来越突出，已经成为高速PCB设计者巨大的挑战。而在高速PCB设计中，过孔已经越来越普 遍使用，其本身的寄生参数极易造成信号完整性问题，如何减少过孔本身所产生的信号完整性问题，已经成为高速PCB设计者研究的重点和难点。
- 关键字：
高速PCB 过孔 寄生电容 反焊盘 信号完整性
- 二极管以其单向导电特性，在整流开关方面发挥着重要的作用;其在反向击穿状态下，在一定电流范围下起到稳压效果。令人意外的是，利用二极管的反偏压结电容，能够有效地减少信号线上的接入寄生电容，这里将近一步讨论这个运用。 上次我们分享了关于“如何妙用二极管的导通压降”的知识，之后有用户要求了解更多有关电子类器件的知识，这里就来讲讲“如何妙用二极管减少寄生电容”。 二极管参数—单向导电性 提到二极管，大家最熟悉的就是二极管的单向导电性，反映伏安曲线上如图1所示。当正向偏压U=0.5V(硅管)时，二极管开始导
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二极管 寄生电容
- 你在传感器系统中是否遇到过电容测量值的波动呢?对于这些测量值的波动有几种解释，但是最常见的根本原因是外部寄生电容干扰。这种干扰，比如说不经意间将手靠的太近或者周围区域中的电磁干扰 (EMI)，需要引起我们的
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电容感测 电容测量 寄生电容
- 在进行测控系统设计时，常常需要对系统中的电容值进行测量。而测量的结果常常会产生波动，造成不准确的测量结果。这种情况的发生通常都是由于寄生电容的干扰导致的。寄生电容的产生也可能有多种来源。比如布线的电线
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寄生电容 电容 传感器 电磁干扰
- 可编程增益仪表放大器通常用于最大程度地扩大精密传感器测量的动态范围。 多数仪表放大器使用外部增益电阻Rg设置增益，因此所需增益可通过对一组电阻进行多路复用实现。 然而，通过这种方式实施系统前，须考虑三大
- 关键字：
PGIA 寄生电容
- 介绍无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1]，在时域双工系统中，交换器或循环器连接端...
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等效电路 寄生电容 低噪声放大器
- 引 言 电容式传感器具有结构简单，灵敏度高，温度稳定性好，适应性强，动态性能好等一系列优点，目前在检测技术中 ...
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电容 传感器 寄生电容
- 每个通孔都有对地寄生电容。因为通孔的实体结构小，其特性非常像集总线路元件。我们可以在一个数量以内估算一个通孔的寄生电容的值：其中，D2=地平面上间隙孔的直径，IN
D1=环绕通孔的焊盘的直径，IN
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电路板 通孔 寄生电容 分析
- 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条，并利用多晶硅作掩模注入P型区，改变VDMOS栅下耗尽区形状，减小寄生电容。在此增加了neck区宽度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟，结果表明：这种新型结构与传统VDMOS相比，能有效减小器件的寄生电容，减少栅电荷量，提高开关时间，提高器件的动态性能。
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VDMOS 寄生电容
寄生电容介绍
寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线构之间总是有互容，互感就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容。
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻， [
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