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【EEPW 电子产品世界 讯】在全球半导体制造竞争日趋激烈之际，英特尔公司近日宣布已成功将ASML最新一代高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻设备整合至其生产线。这一举措不仅标志着芯片制造技术的一大突破，也预示着英特尔正在加快重塑其在全球半导体制造领域领导地位的步伐。

据英特尔透露，首批部署的两台ASML High-NA EUV设备已在其先进工艺试产线上成功运行，并在一个季度内处理超过30,000片晶圆，展示出是上一代系统两倍的可靠性。这些光刻设备能够实现8纳米的分辨率，相较当前0.33 NA EUV系统大幅提高了图形精度，具备更高的工艺集成密度潜力。

英特尔高级工程师史蒂夫·卡森（Steve Carson）在加州圣何塞的行业会议上指出：“High-NA系统的引入使得我们可以更少次曝光达成更精细的图形，这不仅提高了晶圆产能，也大幅简化了制程复杂度。”他说，“这为我们后续14A工艺节点的大规模量产奠定了坚实基础。”

High-NA EUV技术由荷兰ASML公司研发，被业界视为继传统EUV之后最具变革性的芯片制造平台。英特尔是该设备的首批部署客户，借此加速推进其“IDM 2.0”战略，在未来数年内实现从18A到14A的制程跃迁。

ASML方面也表示，当前对High-NA EUV设备的市场需求正在迅速上升，特别是在人工智能芯片、高性能计算及先进移动设备领域的推动下，该技术将成为未来十年半导体制程的关键支撑。

通过与ASML的深度合作，英特尔意图在台积电和三星等竞争对手主导的先进工艺市场中重新夺回技术主动权，并支撑其代工业务（Intel Foundry）在全球市场的战略扩张。

随着High-NA EUV光刻设备的量产化推进，半导体制造的物理极限将进一步被突破，为7纳米以下甚至3纳米工艺的商业化提供坚实支撑。这一变革也将对包括AI加速器、图形处理器以及新型架构处理器等多个技术方向产生深远影响。