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三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。

ddr4和ddr5的区别

· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；

· 芯片密度：DDR4芯片密度为4GB，DDR5为16GB；

· 工作频率：DDR4最高为3200MHz，DDR5最高达到6400MHz；

· 功耗：DDR4单条功耗为1.2V，DDR5降低至1.1V。

此外，DDR5内存还具有改进的命令总线效率、更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。虽然DDR5内存具有更高的性能和更低的功耗，但是其价格也相对较高。

4月9日，美国实施“互惠关税”但随后给出90天的宽限期，促使买家和供应商调整策略以应对政策的不确定性，扩大了DRAM和NAND闪存第二季度预期的合约价格上涨幅度。TrendForce指出，当前内存价格受到关税前囤货和供应控制因素的支撑，但整体市场仍存在很高的不确定性，长期前景并不明朗。

由于中国内存厂商的崛起对三星等传统巨头构成了巨大的竞争压力，三星、SK海力士和美光都可能会逐步停产DDR3和DDR4内存，并把产能转向利润更高的DDR5、LPDDR5内存以及用于GPU和AI系统的HBM。

中国厂商如CXMT和福建晋华的定价策略已使2023年至2024年间的平均内存价格下降超过60%，三星及其他主要内存制造商的DDR4市场逐渐缩小。据报道，CXMT的产能已达到每月20万片芯片，并计划在2024年底之前增至30万片，这使得DDR4价格进一步下滑。

三星的这一决策无疑将加速内存技术的演变，并可能对未来的产品开发和市场结构产生深远影响。值得注意的是，三星也将停止其HBM2E产品的生产，目前已进入最后采购阶段，接下来会将重点转向HBM3E和HBM4。

近年来，随着人工智能、高性能计算和PC对高性能内存需求的快速增长，HBM内存的市场前景广阔。但三星在HBM产品开发和销售上一直落后于SK海力士和美光，为了更好地与竞争对手抗衡，三星需要加快技术迭代，将资源集中到新一代产品上。