网下打新门槛或达1.2亿元 打新基金倾向单边参与
据外媒报道，近期，一位匿名英特尔高层提出一种颇具争议的观点：未来晶体管设计，例如GAAFET和CFET架构，可能会降低芯片制造对先进光刻设备的依赖，尤其是对EUV光刻机的需求。这一观点无疑对当前芯片制造技术的核心模式提出了挑战。目前，ASML的极紫外光（EUV）及高数值孔径（high-NA）EUV光刻机在先进制程中扮演关键角色，通过曝光步骤将电路设计转印至晶圆，随后通过沉积和蚀刻工艺形成晶体管结构。然而，该英特尔高层认为，随着GAAFET和CFET等3D晶体管结构的发展，芯片制造将更依赖蚀刻技术，而非单纯
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半导体 high-NA EUV
据外媒报道，ASML正与蔡司（Carl Zeiss）合作，启动研发分辨率可达5纳米的Hyper NA光刻机设备。ASML技术执行副总裁Jos Benschop表示，这种新型光刻机将满足2035年及之后的芯片制造需求。目前，ASML刚刚开始出货最先进的光刻机，其单次曝光分辨率可达8纳米，相比旧款设备需要多次曝光才能实现类似效果。Benschop还提到，ASML正与蔡司进行设计研究，目标是开发数值孔径（NA）达到0.7或更高的系统。数值孔径是衡量光学系统聚焦能力的重要指标，直接影响光刻分辨率。NA越高，光波长
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ASML 5纳米 Hyper NA 光刻机
全球最大的合同芯片制造商台积电制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在评估何时将 ASML 的尖端高数值孔径 （NA） 机器用于其未来的工艺节点，一位高管周二表示。芯片制造商正在权衡这些价值近 4 亿美元的机器的速度和精度优势何时会超过芯片制造厂中最昂贵的设备几乎翻倍的价格标签。当被问及台积电是否计划将这台机器用于其即将推出的 A14 和未来节点的增强版本时，Kevin Zhang 表示，该公司尚未找到令人信服的理由。“A14，我所说的增强，在不使用 High-NA 的情况下非常可观。因此，我们的技术团
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台积电 ASML “High-NA”
2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
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三星 1nm 芯片 台积电 NA EUV
据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上指出，英特尔已经利用ASML高数值孔径光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆，这些晶圆是足以生产数千个计算芯片的大型硅片。2024年，英特尔成为全球第一家接收这些先进设备的芯片制造商，与之前的ASML设备相比，这些机器可望制造出更小
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英特尔 ASML High-NA EUV
据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV
机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处
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英特尔 High NA EUV 光刻机 晶圆
英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生产数千颗运算芯片的大型硅片。英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商，与之前ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。 此举是英特尔策略转变，因英特尔采用上代极紫外光（EUV）曝光机时落后竞争对手。英特尔花了七年才将之前机器全面投产，导致领先优势被台积电超越。 生产
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英特尔 High-NA EUV
近日，全球领先的物联网整体解决方案供应商移远通信宣布，其旗下符合3GPP
R17标准的新一代5G-A模组RG650V-NA成功通过了北美两家重要运营商认证。凭借高速度、大容量、低延迟、高可靠等优势，该模组可满足CPE、家庭/企业网关、移动热点、高清视频直播等FWA应用对高速、稳定5G网络的需求。移远通信高性能5G-A模组RG650V-NA通过北美两大重要运营商认证此前，RG650V系列已通过了北美FCC、PTCRB以及GCF全球认证，此次再获北美两项认证，表明该模组已全面取得北美运营商的认可，标志着搭
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移远通信 5G-A模组 RG650V-NA
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
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8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
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英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月，预计可带来新一代更强大的电脑英文。Gelsinger在电话中指出，第二台High NA设备即将进入在奥勒冈州的厂房。由于英特尔财报会议后股价表现不佳，因此这番话并未引起注意。ASML高阶主管7月曾表示，该公司已开始出货第二台High NA设备给一位未具名客户，今年只记录第一台的收入。不过
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ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA
EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA
EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。据Trendforce报道，Hyper-NA
EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元，甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元，High-NA
EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV光刻机的两倍多
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5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源设备供应商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通过社交媒体透露了魏哲家秘密出访的行踪。Christophe Fouquet表示他们向魏哲家介绍了最新的技术和新产品，包括High-NA EUV设备将如何实现未来
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上个月英特尔晶圆代工宣布完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。
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光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示，其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发，将于 2024 年安装在 A
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